- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录489 > NTHC5513T1 (ON Semiconductor)MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
PACKAGE DIMENSIONS
ChipFET
S
L
8
1
7
2
A
6
3
G
5
4
D
B
C
M
J
0.05 (0.002)
CASE 1206A?03
ISSUE E
K
5 6
4 3
7
2
8
1
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SOURCE 1
GATE 1
SOURCE 2
GATE 2
DRAIN 2
DRAIN 2
DRAIN 1
DRAIN 1
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. MOLD GATE BURRS SHALL NOT EXCEED 0.13 MM
PER SIDE.
4. LEADFRAME TO MOLDED BODY OFFSET IN
HORIZONTAL AND VERTICAL SHALL NOT EXCEED
0.08 MM.
5. DIMENSIONS A AND B EXCLUSIVE OF MOLD GATE
BURRS.
6. NO MOLD FLASH ALLOWED ON THE TOP AND
BOTTOM LEAD SURFACE.
7. 1206A?01 AND 1206A?02 OBSOLETE. NEW
STANDARD IS 1206A?03.
MILLIMETERS
INCHES
DIM
MIN MAX
MIN MAX
A
2.95 3.10
0.116 0.122
B
1.55 1.70
0.061 0.067
C
1.00 1.10
0.039 0.043
D
0.25 0.35
0.010 0.014
G
0.65 BSC
0.025 BSC
J
0.10 0.20
0.004 0.008
K
0.28 0.42
0.011 0.017
L
0.55 BSC
0.022 BSC
5 ° NOM
5 ° NOM
M
S
1.80 2.00
0.072 0.080
http://onsemi.com
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTHD2102PT1G | MOSFET PWR P-CH DUAL 8V CHIPFET |
| NTHD2110TT1G | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| NTHD3100CT3G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
| NTHD3101FT3G | MOSFET P-CH 20V 3.2A CHIPFET |
| NTHD3102CT1G | MOSFET N/P-CH COMPL 20V CHIPFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHC5513T1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTHC5513T1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:DUAL N/P CHANNEL MOSFET 20V 1206A |
| NTHC60A3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
| NTHC60AA3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
| NTHC60B3 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Crystal Clock Oscillator |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。