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参数资料
| 型号： | NTHC5513T1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 2.1A CHIPFET |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.9A，2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 180pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | ChipFET? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTHC5513T1OS |
NTHC5513
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
N/P
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn?On Delay Time
t d(ON)
5.0
10
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
Turn?On Delay Time
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
N
P
V DD = 16 V, V GS = 4.5 V, I D = 2.9 A,
R G = 2.5 W
V DD = ?16 V, V GS = ?4.5 V, I D = ?2.2 A,
R G = 2.5 W
9.0
10
3.0
7.0
13
33
27
18
20
6.0
12
25
50
40
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage (Note 5)
Reverse Recovery Time (Note 4)
V SD
t RR
N
P
N
V GS = 0 V
I S = 2.6 A
I S = ?2.1 A
I S = 1.5 A
0.8
?0.8
12.5
1.15
?1.15
V
ns
P
I S = ?1.5 A
32
Charge Time
t a
N
I S = 1.5 A
9.0
Discharge Time
t b
P
N
V GS = 0 V,
dI S / dt = 100 A/ m s
I S = ?1.5 A
I S = 1.5 A
10
3.5
P
I S = ?1.5 A
22
Reverse Recovery Charge
Q RR
N
I S = 1.5 A
6.0
nC
P
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
5. Pulse Test: Pulse Width v 250 m s, Duty Cycle v 2%.
http://onsemi.com
3
I S = ?1.5 A
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTHC5513T1G | 功能描述:MOSFET 20V +3.9A/-3A Complementary RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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