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参数资料
| 型号： | PH28F640L18T85 |
| 厂商： | INTEL CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 85 ns, PBGA56 |
| 封装： | 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, VFBGA-56 |
| 文件页数： | 41/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | PH28F640L18T85 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页当前第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
41
7.7
Program and Erase Characteristics
Nbr.
Symbol
Parameter
V
PPL
V
PPH
Units Notes
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Conventional Word Programming
W200 t
PROG/W
Program
Time
Single word
Single cell
-
-
90
30
180
60
-
-
85
30
170
60
μs
1
Buffered Programming
W200 t
PROG/W
W201 t
PROG/PB
Buffered Enhanced Factory Programming
W451 t
BEFP/W
Program
W452
Setup
Erasing and Suspending
W500 t
ERS/PB
Erase Time64-Kword Main
W501 t
ERS/MB
W600 t
SUSP/P
Suspend
Latency
W601 t
SUSP/E
Notes:
1.
Typical values measured at T
C
= +25 °C and nominal voltages. Performance numbers are valid for all
speed versions. Excludes system overhead. Sampled, but not 100% tested.
2.
Averaged over entire device.
Program
Time
Single word
One Buffer (32 words)
-
-
90
440
180
880
-
-
85
340
170
680
μs
1
Single word
n/a
n/a
n/a
-
10
-
μs
1,2
t
BEFP/
Buffered EFP Setup
n/a
n/a
n/a
5
-
-
1
-
-
-
-
0.4
1.2
20
20
2.5
4
25
25
-
-
-
-
0.4
1.0
20
20
2.5
4
25
25
s
1
Program suspend
Erase suspend
μs
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