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参数资料
| 型号： | PSD835G2V-A-20J |
| 厂商： | 意法半导体 |
| 英文描述： | Configurable Memory System on a Chip for 8-Bit Microcontrollers |
| 中文描述： | 在8片位微控制器可配置存储系统 |
| 文件页数： | 95/110页 |
| 文件大小： | 570K |
| 代理商： | PSD835G2V-A-20J |
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PSD8XX Family
PSD835G2
94
Microcontroller Interface – PSD835G2 AC/DC Parameters
(3.0 V to 3.6 V Versions)
Symbol
Parameter
Min
Typ
Max
Unit
Flash Program
8.5
sec
Flash Bulk Erase (Preprogrammed to 00) (Note 1)
3
30
sec
Flash Bulk Erase
10
sec
t
WHQV3
t
WHQV2
t
WHQV1
Sector Erase (Preprogrammed to 00)
1
30
sec
Sector Erase
2.2
sec
Word Program
14
1200
μs
Program/Erase Cycles (Per Sector)
100,000
cycles
t
WHWLO
Sector Erase Time-Out
100
μs
t
Q7VQV
DQ7 Valid to Output Valid (Data Polling)
(Note 2)
30
ns
Flash Program, Write and Erase Times
(3.0 V to 3.6 V Versions)
-90
-12
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Min
Max
Unit
t
ISCCF
t
ISCCH
t
ISCCL
t
ISCCF-P
t
ISCCH-P
t
ISCCL-P
t
ISCPSU
t
ISCPH
t
ISCPCO
t
ISCPZV
t
ISCPVZ
TCK Clock Frequency (except for PLD)
TCK Clock High Time
TCK Clock Low Time
TCK Clock Frequency (for PLD only)
TCK Clock High Time (for PLD only)
TCK Clock Low Time (for PLD only)
ISC Port Set Up Time
ISC Port Hold Up Time
ISC Port Clock to Output
ISC Port High-Impedance to Valid Output
ISC Port Valid Output to High-Impedance
(Note 1)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 2)
(Note 2)
(Note 2)
15
12
MHz
ns
ns
MHz
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
30
30
40
40
2
2
240
240
11
5
240
240
12
5
26
26
26
32
32
32
ISC Timing
(3.0 V to 3.6 V Versions)
NOTES:
1. Programmed to all zeros before erase.
2. The polling status DQ7 is valid tQ7VQV ns before the data DQ0-7 is valid for reading.
NOTES:
1. For “non-PLD” programming, erase or in ISC by-pass mode.
2. For program or erase PLD only.
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| PSD853F2-90JI | 功能描述:CPLD - 复杂可编程逻辑器件 5.0V 1M 90ns RoHS:否 制造商:Lattice 系列: 存储类型:EEPROM 大电池数量:128 最大工作频率:333 MHz 延迟时间:2.7 ns 可编程输入/输出端数量:64 工作电源电压:3.3 V 最大工作温度:+ 90 C 最小工作温度:0 C 封装 / 箱体:TQFP-100 |
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