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参数资料
| 型号： | S71GL064A04BAW0F3 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| 中文描述： | 堆叠式多芯片产品（MCP）的闪存和RAM |
| 文件页数： | 101/102页 |
| 文件大小： | 1606K |
| 代理商： | S71GL064A04BAW0F3 |
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98
S71GL032A Based MCPs
S71GL032A_00_A0 March 31, 2005
Advance
Info rmation
Data Retention Characteristics (4M Version G)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥ VCC-0.2V. CS2 controlled: CS2 ≤ 0.2V.
Data Retention Characteristics (8M Version C)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥ VCC-0.2V. CS2 controlled: CS2 ≤ 0.2V.
Data Retention Characteristics (8M Version D)
Notes:
1. CS1 controlled:CS1#
≥ VCC-0.2V. CS2 controlled: CS2 ≤ 0.2V.
Timing Diagrams
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max Unit
VCC for data retention
VDR
-
3.3
V
Data retention current
IDR
-
3
A
Data retention set-up time
tSDR
See data retention waveform
0
-
ns
Recovery time
tRDR
tRC
-
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max Unit
VCC for data retention
VDR
1.5
-
3.3
V
Data retention current
IDR
-
15
A
Data retention set-up time
tSDR
See data retention waveform
0
-
ns
Recovery time
tRDR
tRC
-
Item
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max Unit
VCC for data retention
VDR
1.5
-
3.3
V
Data retention current
IDR
-
TBD
A
Data retention set-up time
tSDR
See data retention waveform
0
-
ns
Recovery time
tRDR
tRC
-
Figure 33. Timing Waveform of Read Cycle(1) (Address Controlled, CS#1=OE#=VIL, CS2=WE#=VIH, UB#
and/or LB#=VIL)
tAA
tRC
tOH
Address
Data Out
Previous Data Valid
Data Valid
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PDF描述 |
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