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参数资料
| 型号： | S71GL064A04BAW0F3 |
| 厂商： | Spansion Inc. |
| 英文描述： | Stacked Multi-Chip Product (MCP) Flash Memory and RAM |
| 中文描述： | 堆叠式多芯片产品（MCP）的闪存和RAM |
| 文件页数： | 88/102页 |
| 文件大小： | 1606K |
| 代理商： | S71GL064A04BAW0F3 |
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86
S71GL032A Based MCPs
S71GL032A_00_A0 March 31, 2005
Advance
Info rmation
Notes:
1. High-Z and Low-Z parameters are characterized and are not 100% tested.
2. The internal write time of the memory is defined by the overlap of WE#, CE#1 = VIL, CE2 = VIH, BHE and/or BLE =VIL. All
signals must be Active to initiate a write and any of these signals can terminate a write by going Inactive. The data input set-
up and hold timing should be referenced to the edge of the signal that terminates write.
3. Data I/O is high impedance if OE#
≥ VIH.
4. If Chip Enable goes Inactive simultaneously with WE# = High, the output remains in a high-impedance state.
5. During the Don’t Care period in the Data I/O waveform, the I/Os are in output state and input signals should not be applied.
Figure 28. Write Cycle 1 (WE# Controlled)
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PDF描述 |
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参数描述 |
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