参数资料
型号: SI7998DP-T1-GE3
厂商: Vishay Siliconix
文件页数: 12/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC
标准包装: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A,30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 9.3 毫欧 @ 15A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1100pF @ 15V
功率 - 最大: 22W,40W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: PowerPAK? SO-8 双
供应商设备封装: PowerPAK? SO-8 Dual
包装: 标准包装
其它名称: SI7998DP-T1-GE3DKR
Package Information
www.vishay.com
PowerPAK ? SO-8, (Single/Dual)
Vishay Siliconix
H
E2
K
L
1
2
3
4
W
L1
Z
D
E3
E4
1
2
3
4
θ
θ
A1
Backside View of Single Pad
H
E2
E4
K
L
2
E1
E
Detail Z
D1
1
2
3
D2
4
Notes
1. Inch will govern.
2 Dimensions exclusive of mold gate burrs.
3. Dimensions exclusive of mold flash and cutting burrs.
MILLIMETERS
E3
Backside View of Dual Pad
INCHES
DIM.
MIN.
NOM.
MAX.
MIN.
NOM.
MAX.
A 0.97
A1
b 0.33
c 0.23
D 5.05
D1 4.80
D2 3.56
D3 1.32
1.04
-
0.41
0.28
5.15
4.90
3.76
1.50
1.12
0.05
0.51
0.33
5.26
5.00
3.91
1.68
0.038
0
0.013
0.009
0.199
0.189
0.140
0.052
0.041
-
0.016
0.011
0.203
0.193
0.148
0.059
0.044
0.002
0.020
0.013
0.207
0.197
0.154
0.066
D4
D5
0.57 typ.
3.98 typ.
0.0225 typ.
0.157 typ.
E 6.05
E1 5.79
E2 (for AL product) 3.30
6.15
5.89
3.48
6.25
5.99
3.66
0.238
0.228
0.130
0.242
0.232
0.137
0.246
0.236
0.144
E2 (for other product)
3.48
3.66
3.84
0.137
0.144
0.151
E3 3.68
3.78
3.91
0.145
0.149
0.154
E4 (for AL product)
E4 (for other product)
e
K (for AL product)
K (for other product)
0.58 typ.
0.75 typ.
1.27 BSC
1.45 typ.
1.27 typ.
0.023 typ.
0.030 typ.
0.050 BSC
0.057 typ.
0.050 typ.
K1 0.56
H 0.51
L 0.51
L1 0.06
-
0.61
0.61
0.13
-
0.71
0.71
0.20
0.022
0.020
0.020
0.002
-
0.024
0.024
0.005
-
0.028
0.028
0.008
?
-
12°
-
12°
W 0.15
0.25
0.36
0.006
0.010
0.014
M
ECN: C13-0702-Rev. K, 20-May-13
DWG: 5881
Revison: 20-May-13
0.125 typ.
1
0.005 typ.
Document Number: 71655
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述
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