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参数资料
| 型号： | SI7998DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 22W，40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7998DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7998DP
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
N otes:
P DM
t 1
t 1
t 2
0.02
Single Pulse
t 2
1. D u ty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 8 0 °C/ W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. S u rface Mo u nted
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
10
100
1000
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single P u lse
0.01
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
1
S qu are W a v e P u lse D u ration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Document Number: 68970
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
www.vishay.com
7
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