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参数资料
| 型号： | SI7998DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 22W，40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7998DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7998DP
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
60
50
20
16
V GS = 10 V thr u 4 V
40
12
30
20
8
T C = 25 °C
10
0
V GS = 3 V
4
0
T C = 125 °C
T C = - 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.013
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
1500
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.011
V GS = 4.5 V
C iss
900
0.009
V GS = 10 V
600
C oss
0.007
300
C rss
0.005
0
0
10
20
30
40
50
60
0
5
10
15
20
25
30
10
8
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
I D = 15 A
V DS = 15 V
V DS = 24 V
1. 8
1.6
1.4
1.2
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
I D = 15 A
4
1.0
2
0
0. 8
0.6
V GS = 4.5 V , 10 V
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 68970
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
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