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参数资料
| 型号： | SI7998DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 2/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 22W，40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7998DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7998DP
Vishay Siliconix
SPECIFICATIONS T J = 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Static
Drain-Source Breakdown Voltage
V DS Temperature Coefficient
V GS(th) Temperature Coefficient
V DS
Δ V DS /T J
Δ V GS(th) /T J
V GS = 0 V, I D = 250 μA
V GS = 0 V, I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
I D = 250 μA
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
30
30
28
26
- 5.6
-6
V
mV/°C
Gate Threshold Voltage
Gate-Body Leakage
V GS(th)
I GSS
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = V GS , I D = 250 μA
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
1.2
1.2
2.5
2.5
100
100
V
nA
V DS = 30 V, V GS = 0 V
Ch-1
1
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V DS = 30 V, V GS = 0 V
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
Ch-2
Ch-1
1
10
μA
V DS = 30 V, V GS = 0 V, T J = 85 °C
Ch-2
10
On-State Drain Current b
I D(on)
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
V DS ≥ 5 V, V GS = 10 V
Ch-1
Ch-2
30
30
A
V GS = 10 V, I D = 15 A
Ch-1
0.0076 0.0093
Drain-Source On-State Resistance b
Forward Transconductance b
R DS(on)
g fs
V GS = 10 V, I D = 20 A
V GS = 4.5 V, I D = 13 A
V GS = 4.5 V, I D = 18 A
V DS = 10 V, I D = 15 A
V DS = 10 V, I D = 20 A
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
0.0044 0.0053
0.0103 0.0124
0.0058
0.007
45
71
Ω
S
Dynamic a
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
C iss
C oss
C rss
Q g
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 0 V, f = 1 MHz
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 15 A
V DS = 15 V, V GS = 10 V, I D = 20 A
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
1100
2000
200
390
90
160
17
32
8.2
26
48
13
pF
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Gate Resistance
Q gs
Q gd
R g
Channel-1
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 15 A
Channel-2
V DS = 15 V, V GS = 4.5 V, I D = 20 A
f = 1 MHz
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
Ch-1
Ch-2
15.3
3.2
6.3
2.7
4.7
3.5
3.5
23
7
7
nC
Ω
Notes:
a. Guaranteed by design, not subject to production testing.
b. Pulse test; pulse width ≤ 300 μs, duty cycle ≤ 2 %.
www.vishay.com
2
Document Number: 68970
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
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