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参数资料
| 型号： | SI7998DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 9/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 22W，40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7998DP-T1-GE3DKR |
New Product
Si7998DP
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
T J = 150 °C
0.020
0.015
0.010
I D = 20 A
T J = 125 °C
1
T J = 25 °C
0.005
0.000
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
2.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
2.2
40
2.0
1. 8
1.6
I D = 250 μA
30
20
1.4
10
1.2
1.0
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperat u re (°C)
Reverse Current vs. Junction Temperature
100
Limited b y R DS(on) *
10
1
100 μ s
1 ms
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
100 ms
1s
10 s
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
BVDSS Limited
DC
0.01
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 68970
S09-0269-Rev. B, 16-Feb-09
www.vishay.com
9
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