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参数资料
| 型号： | SI7998DP-T1-GE3 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 13/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 25A，30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 22W，40W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | PowerPAK? SO-8 双 |
| 供应商设备封装： | PowerPAK? SO-8 Dual |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | SI7998DP-T1-GE3DKR |
Application Note 826
Vishay Siliconix
RECOMMENDED MINIMUM PADS FOR PowerPAK ? SO-8 Dual
0.260
(6.61)
0.150
(3.81)
0.024
(0.61)
0.026
(0.66)
0.024
(0.61)
0.050
(1.27)
0.032
(0.82)
0.040
(1.02)
Recommended Minimum Pads
Dimensions in Inches/(mm)
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www.vishay.com
16
Document Number: 72600
Revision: 21-Jan-08
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PDF描述 |
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