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参数资料
| 型号： | SI8417DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 4/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2220pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 6.57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8417DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
20
15
10
5
V GS = 5 V thru 1.8 V
V GS = 1.5 V
10.0
7.5
5.0
2.5
T C = 125 °C
T C = 25 °C
V GS = 1 V
T C = - 55 °C
0
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.06
0.05
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
3000
2000
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
C iss
0.04
0.03
V GS = 1.8 V
0.02
0.01
V GS = 2.5 V
V GS = 4.5 V
1000
0
C rss
C oss
0
5
10
15
20
0
3
6
9
12
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
5
I D = 1 A
1.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
I D = 1 A
4
3
V DS = 6 V
1.4
1.2
V GS = 4.5 V, 2.5 V
V GS = 1.8 V
2
1
0
V DS = 9.6 V
1.0
0.8
0.6
0
5
10 15 20 25 30
35
40
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
4
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73531
S11-1382-Rev. D, 11-Jul-11
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PDF描述 |
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