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参数资料
| 型号： | SI8417DB-T2-E1 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 14.5A 2X2 6MFP |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 21 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 57nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2220pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 6.57W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-MICRO FOOT? |
| 供应商设备封装： | 6-Micro Foot? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Si8417DB
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
10
1
0.05
0.04
I D = 1 A
0.1
0.01
0.001
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
T A = 25 °C
T A = 125 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
1
2
3
4
5
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μA
60
50
40
30
20
10
0
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
I D(on) limited
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
T A = 25 °C
IDM limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
Single Pulse
0.01
BVDSS limited
0.001
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 73531
S11-1382-Rev. D, 11-Jul-11
www.vishay.com
5
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THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
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PDF描述 |
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