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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 19/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
26
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Idle - 97H or E3H
This command causes the NANDrive to set BSY, enter the Idle mode, clear BSY and generate an
interrupt. If the sector count is non-zero, it is interpreted as a timer count with each count being 5 milli-
seconds and the automatic Power-down mode is enabled. If the sector count is zero, the automatic
Power-down mode is also enabled, the timer count is set to 3, with each count being 5 ms. Note that
this time base (5 msec) is different from the ATA specification.
Set-Sleep-Mode - 99H or E6H
This command causes the NANDrive to set BSY, enter the Sleep mode, clear BSY and generate an
interrupt. Recovery from sleep mode is accomplished by simply issuing another command (a reset is
permitted but not required). Sleep mode is also entered when internal timers expire so the host does
not need to issue this command except when it wishes to enter Sleep mode immediately. The default
value for the timer is 15 milliseconds.
Bit ->
76543210
Command (7)
97H or E3H
C/D/H (6)
XDrive
X
Cyl High (5)
X
Cyl Low (4)
X
Sec Num (3)
X
Sec Cnt (2)
Timer Count (5 msec increments)
Feature (1)
X
Bit ->
76543210
Command (7)
99H or E6H
C/D/H (6)
XDrive
X
Cyl High (5)
X
Cyl Low (4)
X
Sec Num (3)
X
Sec Cnt (2)
X
Feature (1)
X
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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