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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 5/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
13
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Software Interface
NANDrive Command Description
This section defines the software requirements and the format of the commands the host sends to the
NANDrive. Commands are issued to the NANDrive by loading the required registers in the command block
with the supplied parameters, and then writing the command code to the Command register. With the
exception of commands listed in Sections “Idle - 97H or E3H”, “Set-Sleep-Mode - 99H or E6H”, and “Set-
WP#/PD#-Mode - 8BH”, NANDrive complies with ATA-6 Specifications.
NANDrive Command Set
Table 8 summarizes the NANDrive command set.
Table 8: NANDrive Command Set (1 of 2)
Command
Code
FR1
SC2
SN3
CY4
DH5
LBA6
Check-Power-Mode
E5H or 98H
-
D8
-
Execute-Drive-Diagnostic
90H
-
D
-
Erase-Sector(s)
C0H
-
Y
Flush-Cache
E7H
-
D
-
Format-Track
50H
-
Y7
-Y
Y8
Y
Identify-Drive
ECH
-
D
-
Idle
E3H or 97H
-
Y
-
D
-
Idle-Immediate
E1H or 95H
-
D
-
Initialize-Drive-Parameters
91H
-
Y
-
Y
-
NOP
00H
-
---
D
-
Read-Buffer
E4H
-
D
-
Read-DMA
C8H or C9H
-
Y
Read-Multiple
C4H
-
Y
Read-Sector(s)
20H or 21H
-
Y
Read-Verify-Sector(s)
40H or 41H
-
Y
Recalibrate
1XH
-
D
-
Request-Sense
03H
-
D
-
Security-Disable-Password
F6H
-
D
-
Security-Erase-Prepare
F3H
-
D
-
Security-Erase-Unit
F4H
-
D
-
Security-Freeze-Lock
F5H
-
D
-
Security-Set-Password
F1H
-
D
-
Security-Unlock
F2H
-
D
-
Seek
7XH
-
Y
Set-Features
EFH
Y
-
D
-
SMART
B0H
Y
D
-
Set-Multiple-Mode
C6H
-
Y
-
D
-
Set-Sleep-Mode
E6H or 99H
-
D
-
Set-WP#/PD#-Mode
8BH
Y
-
D
-
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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