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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 25/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
31
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
DC Characteristics (SST85LD0512/1001T/1002U)
Table 19: DC Characteristic for Host Interface VDDQ = 3.3V or 5V
Symbol
Type
Parameter
Min
Max
Units
Conditions
VIH1
I1
Input Voltage
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VIL1
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL1
I1Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU1
I1U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VT+2
I2
Input Voltage Schmitt Trigger
2.0
V
VDDQ=VDDQ Max
VT-2
0.8
VDDQ=VDDQ Min
IIL2
I2Z
Input Leakage Current
-10
10
uA
VIN = GND to VDDQ,
VDDQ = VDDQ Max
IU2
I2U
Input Pull-Up Current
-150
-6
uA
VOUT = GND,
VDDQ = VDDQ Max
VOH1
O1
Output Voltage
2.4
V
IOH1=IOH1 Min
VOL1
0.4
IOL1=IOL1 Max
IOH1
Output Current
-4
mA
VDDQ=VDDQ Min
IOL1
Output Current
4
mA
VDDQ=VDDQ Min
VOH2
O2
Output Voltage
2.4
V
IOH2=IOH2 Min
VOL2
0.4
IOL2=IOL2 Max
IOH2
Output Current
-8
mA
VDDQ=2.7V
IOL2
Output Current
8
mA
VDDQ Min
VOH6
O6
Output Voltage for DASP# pin
2.4
V
IOH6=IOH6 Min
VOL6
0.4
IOL6=IOL6 Max
IOH6
Output Current for DASP# pin
-4
mA
VDDQ=2.7-3.465V
IOL6
Output Current for DASP# pin
12
mA
VDDQ=2.7-3.465V
IOH6
Output Current for DASP# pin
-4
mA
VDDQ=4.5V-5.5V
IOL6
Output Current for DASP# pin
12
mA
VDDQ=4.5V-5.5V
T19.1 1382
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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