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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 9/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
17
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Word 20: Buffer Type
This field defines the buffer capability:
0002H: a dual ported multi-sector buffer capable of simultaneous data transfers to or from the host and
the NANDrive.
Word 23-26: Firmware Revision
This field contains the revision of the firmware for this product.
Word 27-46: Model Number
This field is reserved for the model number for this product.
Word 47: Read-/Write-Multiple Sector Count
This field contains the maximum number of sectors that can be read or written per interrupt using the
Read-Multiple or Write-Multiple commands. Only a value of ‘1’ is supported.
Word 49: Capabilities
Bit
Function
13
Standby Timer
0: forces sleep mode when host is inactive.
11
IORDY Support
1: NANDrive supports PIO Mode-4.
9
LBA support
1: NANDrive supports LBA mode addressing.
8
DMA Support
1: DMA mode is supported.
Word 51: PIO Data Transfer Cycle Timing Mode
This field defines the mode for PIO data transfer. NANDrive supports up to PIO Mode-4.
Word 53: Translation Parameters Valid
Bit
Function
0
1: words 54-58 are valid and reflect the current number of cylinders, heads and sectors.
1
1: words 64-70 are valid to support PIO Mode-3 and 4.
2
1: words 88 are valid to support Ultra DMA data transfer.
Word 54-56: Current Number of Cylinders, Heads, Sectors/Track
These fields contains the current number of user addressable Cylinders, Heads, and Sectors/Track in
the current translation mode.
Word 57-58: Current Capacity
This field contains the product of the current cylinders times heads times sectors.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST85LD1002L-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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