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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 6/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
14
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Identify-Drive - ECH
The Identify-Drive command enables the host to receive parameter information from the NANDrive.
This command has the same protocol as the Read-Sector(s) command. The parameter words in the
buffer have the arrangement and meanings defined in Table 9. All reserved bits or words are zero.
Table 9 gives the definition for each field in the Identify-Drive information.
Standby
E2H or 96H
-
D
-
Standby-Immediate
E0H or 94H
-
D
-
Translate-Sector
87H
-
Y
Write-Buffer
E8H
-
---
D
-
Write-DMA
CAH or CBH
-
Y
Write-Multiple
C5H
-
Y
Write-Multiple-Without-Erase
CDH
-
Y
Write-Sector(s)
30H or 31H
-
Y
Write-Sector(s)-Without-Erase
38H
-
Y
Write-Verify
3CH
-
YYY
Y
T8.1 1382
1. FR - Features register
2. SC - Sector Count register
3. SN - Sector Number register
4. CY - Cylinder registers
5. DH - Drive/Head register
6. LBA - Logical Block Address mode supported (see command descriptions for use)
7. Y - The register contains a valid parameter for this command.
8. For the Drive/Head register:Y means both the NANDrive and Head parameters are used;
D means only the NANDrive parameter is valid and not the Head parameter.
Bit ->
76543210
Command (7)
ECH
C/D/H (6)
XDrive
X
Cyl High (5)
X
Cyl Low (4)
X
Sec Num (3)
X
Sec Cnt (2)
X
Feature (1)
X
Table 8: NANDrive Command Set (Continued) (2 of 2)
Command
Code
FR1
SC2
SN3
CY4
DH5
LBA6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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