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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 36/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
9
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Capacity Specification
Table 2 shows the default capacity and specific settings for heads, sectors, and cylinders. Users can
change the default settings in the drive ID table using the Identity-Drive command. If the total number of
bytes is less than the default, the remaining space could be used as spares to increase the flash drive
endurance. It should also be noted that if the total flash drive capacity exceeds the total default number of
bytes, the flash drive endurance will be reduced.
Table 2: Default NANDrive Settings
Capacity
Total Bytes
Cylinders
Heads
Sectors
Max LBA
512 MByte
512,483,328
993
16
63
1,000,944
1 GByte
1,024,966,656
1986
16
63
2,001,888
2 GByte
2,048,385,024
3969
16
63
4,000,752
T2.6 1382
Table 3: Sustained Performance
Product
Write Performance
Read Performance
SST85LD0512-60-RI-LBTE
Up to 5 MByte/sec
Up to 17 MByte/sec
SST85LD1001T-60-RI-LBTE
Up to 10 MByte/sec
Up to 30 MByte/sec
SST85LD1002U-60-RI-LBTE
Up to 20 MByte/sec
Up to 30 MByte/sec
T3.1382
Table 4: Supported ATA Modes
Products
PIO
MWDMA
UltraDMA
SST85LD0512-60-RI-LBTE
SST85LD1001T-60-RI-LBTE
SST85LD1002U-60-RI-LBTE
Up to Mode-6
Up to Mode-4
T4.1382
Table 5: Advanced NAND Management Technology Write Cycles
Product
Write Cycles per
Group
Number of Groups
per Product
Wear-leveling
Group Size
Cluster Size
SST85LD0512-60-RI-LBTE
100M
4
128 MBytes
2 KBytes
SST85LD1001T-60-RI-LBTE
100M
4
256 MBytes
4 KBytes
SST85LD1002U-60-RI-LBTE 100M
4
512 MBytes
8 KBytes
T5.1382
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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