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参数资料
| 型号： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分类： | 存储控制器/管理单元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封装： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件页数： | 26/36页 |
| 文件大小： | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
32
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
AC Characteristics
Figure 4: AC Input/Output Reference Waveforms
Table 20: Power Consumption
Product
Symbol Type Parameter
Min
Max
Units Conditions
SST85LD0512-60-RI-LBTE
IDD1,2
PWR Power supply current
(TA = -40°C to +85°C)
130
mA
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
ISP
PWR Sleep/Standby/Idle current
(TA = -40°C to +85°C)
1000
A
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
PWR Power supply current
(TA = -40°C to +85°C)
160
mA
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
ISP
PWR Sleep/Standby/Idle current
(TA = -40°C to +85°C)
1050
A
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
PWR Power supply current
(TA = -40°C to +85°C)
220
mA
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
ISP
PWR Sleep/Standby/Idle current
(TA = -40°C to +85°C)
1150
A
VDD=VDD Max;
VDDQ=VDDQ Max
T20.2 1382
1. Sequential data transfer for 1 sector read data from host interface and write data to media.
2. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this
parameter.
1319 F13.0
REFERENCE POINTS
OUTPUT
INPUT
VIT
VIHT
VILT
VOT
AC test inputs are driven at VIHT (0.9 VDD) for a logic ‘1’ and VILT (0.1 VDD) for a logic ‘0’.
Measurement reference points for inputs and outputs are VIT (0.5 VDD) and VOT (0.5
VDD). Input rise and fall times (10% 90%) are <10 ns.
Note: VIT - VINPUT Test
VOT - VOUTPUT Test
VIHT - VINPUT HIGH Test
VILT - VINPUT LOW Test
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| SST85LD1002L-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:闪存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:闪存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:闪存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 数据总线宽度:1 bit 存储类型:Flash 存储容量:2 MB 结构:256 K x 8 定时类型: 接口类型:SPI 访问时间: 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.3 V 最大工作电流:15 mA 工作温度:- 40 C to + 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 封装:Reel |
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