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参数资料
| 型号： | ST72F651AR6T1 |
| 厂商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分类： | 微控制器/微处理器 |
| 英文描述： | 8-BIT, FLASH, MICROCONTROLLER, PQFP64 |
| 封装： | 10 X 10 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-64 |
| 文件页数： | 56/161页 |
| 文件大小： | 2656K |
| 代理商： | ST72F651AR6T1 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页当前第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页第87页第88页第89页第90页第91页第92页第93页第94页第95页第96页第97页第98页第99页第100页第101页第102页第103页第104页第105页第106页第107页第108页第109页第110页第111页第112页第113页第114页第115页第116页第117页第118页第119页第120页第121页第122页第123页第124页第125页第126页第127页第128页第129页第130页第131页第132页第133页第134页第135页第136页第137页第138页第139页第140页第141页第142页第143页第144页第145页第146页第147页第148页第149页第150页第151页第152页第153页第154页第155页第156页第157页第158页第159页第160页第161页
ST72651AR6
149/161
Doc ID 7215 Rev 4
8-BIT ADC CHARACTERISTICS (Cont’d)
ADC Accuracy
Figure 94. ADC Accuracy Characteristics
Notes:
1. ADC Accuracy vs. Negative Injection Current:
For IINJ-=0.8mA, the typical leakage induced inside the die is 1.6A and the effect on the ADC accuracy is a loss of 1 LSB
for each 10K
Ω increase of the external analog source impedance. This effect on the ADC accuracy has been observed
under worst-case conditions for injection:
- negative injection
- injection to an Input with analog capability, adjacent to the enabled Analog Input
- at 5V VDD supply, and worst case temperature.
2. Data based on characterization results with TA=25°C.
3. Data based on characterization results over the whole temperature range, monitored in production.
Symbol
Parameter
Conditions
VDD=5.5V,
2)
fCPU=1MHz
VDD=5.0V,
3)
fCPU=8MHz
1)
VDD=3.3V,
3)
fCPU=8MHz
1)
MinMax
ET
Total Unadjusted Error 1)
2.5
E0
Offset Error
-0.5
1.5
-1.0
1.5
-1.0
1.5
EG
Gain Error 1)
-2.00-2.00-2.00
|ED|
Differential linearity error 1)
1.5
|EL|
Integral linearity error 1)
2.5
3.0
EO
EG
1LSBIDEAL
1LSB
IDEAL
V
DDA
V
SSA
–
256
-----------------------------------------
=
Vin (LSBIDEAL)
(1) Example of an actual transfer curve
(2) The ideal transfer curve
(3) End point correlation line
ET=Total Unadjusted Error: maximum deviation
between the actual and the ideal transfer curves.
EO=Offset Error: deviation between the first actual
transition and the first ideal one.
EG=Gain Error: deviation between the last ideal
transition and the last actual one.
ED=Differential Linearity Error: maximum deviation
between actual steps and the ideal one.
EL=Integral Linearity Error: maximum deviation
between any actual transition and the end point
correlation line.
Digital Result ADCDR
255
254
253
5
4
3
2
1
0
7
6
1
234567
253 254 255 256
(1)
(2)
ET
ED
EL
(3)
VDDA
VSSA
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ST72F651AR6T1E | 功能描述:8位微控制器 -MCU Flash 32K USB/DTC/I2 RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:C8051F39x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:50 MHz 程序存储器大小:16 KB 数据 RAM 大小:1 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 105 C 封装 / 箱体:QFN-20 安装风格:SMD/SMT |
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