参数资料
型号: UPD44647366AF5-E25-FQ1
厂商: Renesas Electronics America
文件页数: 19/42页
文件大小: 0K
描述: SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 同步,QDR II+
存储容量: 72M(2M x 36)
速度: 400MHz
接口: 并联
电源电压: 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 165-LBGA
供应商设备封装: 165-PBGA(13x15)
包装: 散装
μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
AC Characteristics (T A = 0 to 70 ° C, V DD = 1.8 ± 0.1 V)
AC Test Conditions (V DD = 1.8 ± 0.1 V, V DD Q = 1.4 to V DD )
Input waveform (Rise / Fall time ≤ 0.3 ns)
1.25 V
0.25 V
Output waveform
0.75 V
V DD Q / 2
Test Points
Test Points
0.75 V
V DD Q / 2
Output load condition
Figure 1. External load at test
V DD Q / 2
0.75 V
V REF
SRAM
ZQ
250 Ω
Z O = 50 Ω
50 Ω
Data Sheet M19962EJ2V0DS
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PDF描述
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参数描述
UPD44647366AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD446C-2L 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDIP24
UPD446G-20L 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDFP24
UPD45128163G5 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM
UPD45128163G5-A75-9JF 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54