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参数资料
| 型号： | UPD44647366AF5-E25-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 32/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
Boundary Scan Register Status of Output Pins CQ, CQ#, QVLD and Q
Instructions
SRAM Status
Boundary Scan Register Status
CQ, CQ#, QVLD
Q
Note
EXTEST
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
Pad
Pad
Pad
Pad
IDCODE
SAMPLE-Z
SAMPLE
BYPASS
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
READ (Low-Z)
NOP (High-Z)
–
–
Pad
Pad
Internal
Internal
–
–
–
–
Pad
Pad
Internal
Pad
–
–
No definition
No definition
Remark
The Boundary Scan Register statuses during execution each
instruction vary according to the instruction code and SRAM
operation mode.
Boundary Scan
Register
CAPTURE
Register
There are two statuses:
Internal
Pad
: Contents of the output pin (QDR Pad) are captured
Update
SRAM
in the “CAPTURE Register” in the Boundary Scan
Pad
Register
Output
Register.
Internal : Contents of the SRAM internal output “SRAM
Output” are captured in the “CAPTURE Register”
in the Boundary Scan Register.
QDR
Pad
SRAM
Output
Driver
High-Z
JTAG ctrl
30
Data Sheet M19962EJ2V0DS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MC7448HX1400NC | IC MPU RISC 32BIT 360-FCCBGA |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1-A | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1-A | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
| UPD44646363AF5-E25-FQ1 | SRAM DDRII 72MBIT 165-PBGA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44647366AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| UPD446C-2L | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDIP24 |
| UPD446G-20L | 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDFP24 |
| UPD45128163G5 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM |
| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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