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参数资料
| 型号： | UPD44647366AF5-E25-FQ1 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 22/42页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 同步，QDR II+ |
| 存储容量： | 72M（2M x 36） |
| 速度： | 400MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 165-LBGA |
| 供应商设备封装： | 165-PBGA（13x15） |
| 包装： | 散装 |
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μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
Read and Write Timing
2.0 Clock Cycles Read Latency
[ μ PD44647094A-A], [ μ PD44647184A-A], [ μ PD44647364A-A]
NOP
READ
WRITE
READ
WRITE
NOP
NOP
1
2
3
4
5
6
7
8
K
TKHKL
TKLKH
TKHKH
TKHK#H TK#HKH
K#
R#
W#
T IVKH
TKHI X
TIVKH TKHIX
Address
A0
A1
A2
A3
TAVKH
TKHAX
TDVKH
TKHDX
TDVKH TKHDX
Data in
D10
D11
D12
D13
D30
D31
D32
D33
ODT state
D, BW#
ODT-ON
QVLD
TCQHQVLD
TCQHQVLD
Read Latency = 2.0 clock cycles
TKHQV
TKHQV
TKHQX1
TKHQX
TKHQX
TKHQ Z
Data out
Q00
Q01
Q02
Q03
Q20
Q21
Q22
Q23
TCQHQX
TCQHQX
CQ
TKHCQV
TKHCQX
TCQHQV
TCQHQV
TKHCQV
TCQHCQ#H
TCQ#HCQH
TKHCQX
CQ#
Remarks 1. Q00 refers to output from address A0+0.
Q01 refers to output from the next internal burst address following A0,i.e.,A0+1.
2. Outputs are disabled (high impedance) 4.0 clock cycles after the last READ (R# = LOW) is input in the
sequences of [READ]-[NOP]-[NOP], [READ]-[WRITE]-[NOP] and [READ]-[NOP]-[WRITE].
3. In this example, if address A2 = A1, data Q20 = D10, Q21 = D11, Q22 = D12 and Q23 = D13.
Write data is forwarded immediately as read results. This remark applies to whole diagram.
4. When the ODT control pin is LOW or No Connect, the ODT function is always off.
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Data Sheet M19962EJ2V0DS
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PDF描述 |
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| UPD44647186AF5-E25-FQ1 | SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| UPD44647366AF5-E25-FQ1-A | 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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| UPD45128163G5-A75-9JF | 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
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