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参数资料
型号： UPD44647366AF5-E25-FQ1
厂商： Renesas Electronics America
文件页数： 20/42页
文件大小： 0K
描述： SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA
标准包装： 1
格式 - 存储器： RAM
存储器类型： SRAM - 同步，QDR II+
存储容量： 72M（2M x 36）
速度： 400MHz
接口： 并联
电源电压： 1.7 V ~ 1.9 V
工作温度： 0°C ~ 70°C
封装/外壳： 165-LBGA
供应商设备封装： 165-PBGA（13x15）
包装： 散装
μ PD44647094A-A, 44647184A-A, 44647364A-A, 44647096A-A, 44647186A-A, 44647366A-A
Read and Write Cycle
Parameter
Symbol
-E20
Note1
-E22
Note1
-E25
-E30
-E33
Unit
Note
(500 MHz)
(450 MHz)
(400 MHz)
(333 MHz)
(300 MHz)
MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX. MIN. MAX.
Clock
Average Clock cycle time (K, K#)
TKHKH
2.0
5.25
2.2
5.25
2.5
5.25
3.0
5.25
3.3
5.25
ns
2
Clock phase jitter (K, K#)
Clock HIGH time (K, K#)
Clock LOW time (K, K#)
Clock HIGH to Clock# HIGH
TKC var
TKHKL
TKLKH
TKHK#H
0.4
0.4
0.85
0.15
0.4
0.4
0.95
0.15
0.4
0.4
1.06
0.20
0.4
0.4
1.28
0.20
0.4
0.4
1.40
0.20
ns
TKHKH
TKHKH
ns
3
(K → K#)
Clock# HIGH to Clock HIGH
TK#HKH
0.85
0.95
1.06
1.28
1.40
ns
(K# → K)
DLL/PLL lock time (K)
K static to DLL/PLL reset
TKC lock
TKC reset
20
30
20
30
20
30
20
30
20
30
μ s
ns
4
5
Output Times
CQ HIGH to CQ# HIGH
TCQHCQ#H
0.6
0.7
0.81
1.03
1.15
ns
6
(CQ → CQ#)
CQ# HIGH to CQ HIGH
TCQ#HCQH
0.6
0.7
0.81
1.03
1.15
ns
6
(CQ# → CQ)
K, K# HIGH to output valid
K, K# HIGH to output hold
K, K# HIGH to echo clock valid
K, K# HIGH to echo clock hold
TKHQV
TKHQX
TKHCQV
TKHCQX
– 0.45
– 0.45
0.45
0.45
– 0.45
– 0.45
0.45
0.45
– 0.45
– 0.45
0.45
0.45
– 0.45
– 0.45
0.45
0.45
– 0.45
– 0.45
0.45
0.45
ns
ns
ns
ns
CQ, CQ# HIGH to output valid
CQ, CQ# HIGH to output hold
K HIGH to output High-Z
K HIGH to output Low-Z
TCQHQV
TCQHQX
TKHQZ
TKHQX1
– 0.15
– 0.45
0.15
0.45
– 0.15
– 0.45
0.15
0.45
– 0.20
– 0.45
0.20
0.45
– 0.20
– 0.45
0.20
0.45
– 0.20
– 0.45
0.20
0.45
ns
ns
ns
ns
7
7
CQ, CQ# HIGH to QVLD valid
Setup Times
TCQHQVLD – 0.15 0.15 – 0.15 0.15 – 0.20 0.20 – 0.20 0.20 – 0.20 0.20
ns
Address valid to K rising edge
Control inputs (R#, W#) valid to
TAVKH
TIVKH
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
ns
ns
8
8
K rising edge
Data inputs and write data select
TDVKH
0.25
0.28
0.28
0.28
0.28
ns
8
inputs (BWx#) valid to
K, K# rising edge
Hold Times
K rising edge to address hold
K rising edge to control inputs
TKHAX
TKHIX
0.33
0.33
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
0.4
ns
ns
8
8
(R#, W#) hold
K, K# rising edge to data inputs
TKHDX
0.25
0.28
0.28
0.28
0.28
ns
8
and write data select inputs
(BWx#) hold
Notes 1. -E20 and -E22 are valid for 2.5 Clock Cycles Read Latency products.
2. When debugging the system or board, these products can operate at a clock frequency slower than TKHKH
(MAX.) without the DLL/PLL circuit being used, if DLL# = LOW. Read latency (RL) is changed to 1.0 clock
cycle regardless of RL = 2.0 and 2.5 clock cycles products in this operation. The AC/DC characteristics
cannot be guaranteed, however.
3. Clock phase jitter is the variance from clock rising edge to the next expected clock rising edge. TKC var
(MAX.) indicates a peak-to-peak value.
18
Data Sheet M19962EJ2V0DS
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PDF描述
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UPD44647366AF5-E25-FQ1-A 功能描述:SRAM QDRII 72MBIT 165-PBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR)
UPD446C-2L 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDIP24
UPD446G-20L 制造商:NEC Electronics Corporation 功能描述:2K X 8 STANDARD SRAM, 200 ns, PDFP24
UPD45128163G5 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:128 MBIT SDRAM
UPD45128163G5-A75-9JF 制造商:Elpida Memory Inc 功能描述:8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54
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