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参数资料
| 型号： | W25X20BLSNIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 7/53页 |
| 文件大小： | 2041K |
| 代理商： | W25X20BLSNIG |
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W25X10BL/20BL/40BL
Publication Release Date: October 14, 2009
- 15 -
Preliminary -- Revision A
9.2.2
Instruction Set
INSTRUCTION NAME
(1)
BYTE 1
CODE
BYTE 2
BYTE 3
BYTE 4
BYTE
5
BYTE 6 N-BYTES
Write Enable
06h
Write Disable
04h
Write Enable for Volatile
Status Register
50h
Read Status Register
05h
(S7–S0)
(1)
Write Status Register
(2)
01h
S7–S0
Read Data
03h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
(D7–D0)
(Next
byte)
continuous
Fast Read
0Bh
A23–A16
A15–A8
A7–A0
dummy
(D7–D0)
(Next Byte)
continuous
Fast Read Dual Output
3Bh
A23–A16
A15–A8
A7–A0
dummy
(D7-D0,
…)
(one byte per 4
clocks, continuous)
(5)
Fast Read Dual I/O
BBh
A23-A8
A7-A0, M7-
M0
(6)
(D7-D0,
…)
(6)
(5)
Page Program
02h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
(D7–D0)
(Next
byte)
Up to 256 bytes
Sector Erase (4KB)
20h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (32KB)
52h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Block Erase (64KB)
D8h
A23–A16
A15–A8
A7–A0
Chip Erase
C7h/60h
Power-down
B9h
Release Power-down /
Device ID
ABh
dummy
(ID7-
ID0)
(4)
Manufacturer/
Device ID
90h
(3)
dummy
00h
(M7-M0)
(ID7-
ID0)
Manufacturer/Device
ID by Dual I/O
92h
A23-A8
A7-A0, M[7:0]
(MF[7:0],
ID[7:0])
JEDEC ID
9Fh
(M7-M0)
Manufacturer
(ID15-ID8)
Memory Type
(ID7-ID0)
Capacity
Read Unique ID
4Bh
dummy
(ID63-
ID0)
Read Unique ID
Notes:
1. Data bytes are shifted with Most Significant Bit first. Byte fields with data in parenthesis “( )” indicate data being read from the
device on the DO pin.
2. The Status Register contents will repeat continuously until /CS terminates the instruction.
3. See Manufacturer and Device Identification table for Device ID information.
4. The Device ID will repeat continuously until /CS terminates the instruction.
5. Dual Output and Dual I/O data
IO0 = (D6, D4, D2, D0)
IO1 = (D7, D5, D3, D1)
6. Dual Input Address
IO0 = A22, A20, A18, A16, A14, A12, A10, A8
A6, A4, A2, A0, M6, M4, M2, M0
IO1 = A23, A21, A19, A17, A15, A13, A11, A9
A7, A5, A3, A1, M7, M5, M3, M1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W25X20BLZPIG | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X32AVDAIZ | 4M X 8 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
| W25X40-VSNI | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X80-VSNI-G | 8M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| W25X40BVDAIG | 4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDIP8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W25X20BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 2MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25X20CLSNIG | 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
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