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参数资料
| 型号： | W25X20BLSNIG |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | PROM |
| 英文描述： | 2M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8 |
| 封装： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件页数： | 8/53页 |
| 文件大小： | 2041K |
| 代理商： | W25X20BLSNIG |
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W25X10BL/20BL/40BL
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9.2.3
Write Enable (06h)
The Write Enable instruction (Figure 4) sets the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Register to
a 1. The WEL bit must be set prior to every Page Program, Sector Erase, Block Erase, Chip Erase and
Write Status Register instruction. The Write Enable instruction is entered by driving /CS low, shifting
the instruction code “06h” into the Data Input (DI) pin on the rising edge of CLK, and then driving /CS
high.
Figure 4. Write Enable Instruction Sequence Diagram
9.2.4
Write Enable for Volatile Status Register (50h)
The non-volatile Status Register bits described in section 9.1 can also be written to as volatile bits. This
gives more flexibility to change the system configuration and memory protection schemes quickly
without waiting for the typical non-volatile bit write cycles or affecting the endurance of the Status
Register non-volatile bits. To write the volatile values into the Status Register bits, the Write Enable for
Volatile Status Register (50h) instruction must be issued prior to a Write Status Register (01h)
instruction. Write Enable for Volatile Status Register instruction (Figure 5) will not set the Write Enable
Latch (WEL) bit, it is only valid for the Write Status Register instruction to change the volatile Status
Register bit values.
Figure 5. Write Enable for Volatile Status Register Instruction Sequence Diagram
Instruction (50h)
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W25X20BVZPIG | 功能描述:IC SPI FLASH 2MBIT 8WSON RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W25X20CLSNIG | 功能描述:IC FLASH SPI 2MBIT 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:SpiFlash® 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
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