参数资料
| 型号： | W947D6HBHX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 9/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA |
| 标准包装： | 312 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 128M（8Mx16） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 60-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 60-VFBGA（8x9） |
| 包装： | 托盘 |
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W947D6HB / W947D2HB
128Mb Mobile LPDDR
5.2 Simplified State Diagram
Power
Power
applied
On
DPDSX
Deep
Self
Refresh
Power
Down
REFS
SRR
Precharge
All Bank
DPDS
REFSX
SRR
Read
Read
MRS
EMRS
MRS
Idle
All banks
precharged
REFA
Auto
Refresh
CKEL
CKEH
Precharge
Active
Power
Down
CKEL
CKEH
ACT
Row
Active
Power
Down
Burst
Stop
WRITE
WRITE
WRITE
READ
READA
BST
READ
WRITE
WRITEA
READ
READA
READ
READA
WRITE A
PRE
PRE PRE
READ A
PRE
Precharge
PREALL
Automatic Sequence
Command Sequence
ACT = Active
BST = Burst Terminate
CKEL= Enter Power - Down
MRS = Ext . Mode Reg . Set
MRS = Mode Register Set
PRE = Precharge
REFSX = Exit Self Refresh
READ = Read w/o Auto Precharge
READA = Read with Auto Precharge
CKEH=Exit Power - Down
-
DPDS = Enter Deep Power Down
DPDSX = Exit Deep Power- Down
PREALL = Precharge All Bank
REFA = Auto Refresh
REFS = Enter Self Refresh
WRITE = Write w/o Auto Precharge
WRITEA = Write with Auto Precharge
SRR = Status Register Read
Note: Use caution with this diagram . It is indented to provide a floorplan of the possible state transitions and commands to control them , not
all details .In particular situations involving more than one bank are not captured in full detall .
Publication Release Date:Jun,17, 2011
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Revision A01-003
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参数描述 |
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| W947D6HBHX5I | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:128Mb Mobile LPDDR |
| W947D6HBHX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: |
| W947D6HBHX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPDDR SDRAM 128MBIT 60VFBGA |
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