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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 31/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 512M（16M x 32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
7.5.7 Random Read Bursts
Full-speed random read accesses within a page or pages can be performed as shown in following figure.
CK
CK
Command
Address
READ
BA,Col n
READ
BA,Col x
READ
BA,Col b
READ
BA,Col g
NOP
NOP
CL=2
DQS
DQ
DO n
DO n I
DO x
DO x I
DO b
DO b I
DO g
DO g I
CL=3
DQS
DQ
DO n
DO n I
DO x
DO x I
DO b
DO b I
1) DO n ,etc. = Data Out from column n, etc.
n I , x I , etc. = Data Out elements, according to the programmed burst order
= Don't Care
2) BA, Col n = Bank A, Column n
3) Burst Length=2,4,8 or 16 in cases shown (if burst of 4,8 or 16, the burst is interrupted)
4) Reads are to active rows in any banks
7.5.8 Read Burst Terminate
Data from any READ burst may be truncated with a BURST TERMINATE command, as shown in figure. The
BURST TERMINATE latency is equal to the read (CAS) latency, i.e., the BURST TERMINATE command should be
issued X cycles after the READ command where X equals the desired data-out element pairs.
CK
CK
Command
READ
BST
NOP
NOP
NOP
NOP
Address
BA,Col n
CL=2
DQS
DQ
CL=3
DQS
DQ
1) DO n = Data Out from column n
= Don't Care
2) BA,Col n = Bank A, Column n
3) Cases shown are bursts of 4,8 or 16 terminated after 2 data elements.
4) Shown with nominal tAC, tDQSCK and tDQSQ
Publication Release Date: Sep, 21, 2011
- 31 -
Revision A01-007
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PDF描述 |
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| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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