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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 58/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 512M（16M x 32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
10. ORDERING INFORMATION
Mobile LPDDR/LPSDR SDRAM Package Part Numbering
W 94 9 D 6 C B H X 5 I
Product Line
98:mobile LPSDR SDRAM
94:mobile LPDDR SDRAM
Density
7:2 7 =128M 8:2 8 =256M
9:2 9 =512M
Power Supply
D:1.8/1.8 V DD / V DDQ
I/O Ports width
6:16bit
2:32bit
Generation
Design revision.
Package or KGD
K: KGD
B: BGA
Temperature
with standard Idd6
G:-25C~85C
with low power Idd6
E:-25C~85C
I:-40C~85C
Clock rate
5:5ns ? 200MHz
6:6ns ? 166MHz
7:7.5ns ? 133MHz
Package Material
X: Lead-free + Halogen-free
Package configuration code
G: 54VFBGA, 8mmx9mm
H: 60VFBGA, 8mmx9mm
J: 90VFBGA, 8mmx13mm
Part number
V DD /V DDQ I/O width Package
Others
W949D6CBHX5I
W949D6CBHX5E
W949D6CBHX6E
W949D6CBHX6G
W949D2CBJX5I
W949D2CBJX5E
W949D2CBJX6E
W949D2CBJX6G
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
1.8V/1.8V
16
16
16
16
32
32
32
32
60VFBGA
60VFBGA
60VFBGA
60VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
90VFBGA
200MHz, -40C~85C, Low
200MHz, -25C~85C, Low
166MHz, -25C~85C, Low
166MHz, -25C~85C
200MHz, -40C~85C, Low
200MHz, -25C~85C, Low
166MHz, -25C~85C, Low
166MHz, -25C~85C
power
power
power
power
power
power
Publication Release Date: Sep, 21, 2011
- 58 -
Revision A01-007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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