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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 59/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 512M（16M x 32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
11. REVISION HISTORY
VERSION
A01-001
A01-002
A01-003
DATE
01/28/2011
03/07/2011
03/14/2011
PAGE
All
48,49
All
4
4
52
48,49
DESCRIPTION
Product datasheet for customer.
Update IDD specification.
Update name of document title.
Unify the datasheet for package product.
Update operating temperature range.
Update tRFC value to 72ns.
Update Idd2N value to 10mA.
A01-004
03/24/2011
7,12,18,47,52 Remove TQ description.
Update definition of SRR[10:8].
17
A01-005
A01-006
A01-007
05/17/2011
06/14/2011
09/21/2011
48,49
50
12
48,49
48,49
Update IDD4R & IDD4W value.
Add PASR value for Normal power grade.
Refine Figure 6.1.2.
Update IDD2P & IDD2PS value.
Update IDD3P,IDD3PS, IDD3N and IDD3NS value.
Publication Release Date: Sep, 21, 2011
- 59 -
Revision A01-007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W971GG6JB25I | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 84WBGA |
| W971GG8JB-25 | IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60WBGA |
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| W9725G6JB25I | IC DDR2 SDRAM 256MBIT 84WBGA |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W949D2CBJX5ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ |
| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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