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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 47/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 512M（16M x 32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
8.3 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
All values are recommended operating conditions unless otherwise noted.
8.3.1 Electrical Characteristics and AC/DC Operating Conditions
PARAMETER/CONDITION
Supply Voltage
I/O Supply Voltage
SYMBOL
VDD
VDDQ
MIN
1.70
1.70
MAX
1.95
1.95
UNITS
V
V
NOTES
ADDRESS AND COMMAND INPUTS (A0~An, BA0,BA1,CKE, CS , RAS , CAS , WE )
Input High Voltage
Input Low Voltage
VIH
VIL
0.8*VDDQ
? 0.3
VDDQ + 0.3
0.2*VDDQ
V
V
CLOCK INPUTS (CK, CK )
DC Input Voltage
VIN
? 0.3
VDDQ + 0.3
V
DC Input Differential Voltage
AC Input Differential Voltage
AC Differential Crossing Voltage
VID (DC)
VID (AC)
VIX
0.4*VDDQ
0.6*VDDQ
0.4*VDDQ
VDDQ + 0.6
VDDQ + 0.6
0.6*VDDQ
V
V
V
2
2
3
DATA INPUTS (DQ, DM, DQS)
DC Input High Voltage
DC Input Low Voltage
AC Input High Voltage
AC Input Low Voltage
VIHD (DC)
VILD (DC)
VIHD (AC)
VILD (AC)
0.7*VDDQ
? 0.3
0.8*VDDQ
? 0.3
VDDQ + 0.3
0.3*VDDQ
VDDQ + 0.3
0.2*VDDQ
V
V
V
V
DATA OUTPUTS (DQ, DQS)
DC Output High Voltage (IOH=?0.1mA)
DC Output Low Voltage (IOL=0.1mA)
VOH
VOL
0.9*VDDQ
-
-
0.1*VDDQ
V
V
Leakage Current
Input Leakage Current
Output Leakage Current
IiL
IoL
-1
-5
1
5
uA
uA
Notes:
1. All voltages referenced to VSS and VSSQ must be same potential.
2. VID (DC) and VID (AC) are the magnitude of the difference between the input level on CK and CK .
3. The value of VIX is expected to be 0.5*VDDQ and must track variations in the DC level of the same.
Publication Release Date: Sep, 21, 2011
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Revision A01-007
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