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参数资料
| 型号： | W949D2CBJX5E |
| 厂商： | Winbond Electronics |
| 文件页数： | 8/60页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC LPDDR SDRAM 512MBIT 90VFBGA |
| 标准包装： | 240 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | 移动 LPDDR SDRAM |
| 存储容量： | 512M（16M x 32） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 1.7 V ~ 1.95 V |
| 工作温度： | -25°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 90-TFBGA |
| 供应商设备封装： | 90-VFBGA（8x13） |
| 包装： | 托盘 |
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W949D6CB / W949D2CB
512Mb Mobile LPDDR
5. BLOCK DIAGRAM
5.1 Block Diagram
CK
CK
CKE
CS
CLOCK
BUFFER
CONTROL
SIGNAL
RAS
CAS
COMMAND
DECODER
GENERATOR
WE
R
COLUMN DECODER
R
COLUMN DECODER
O
W
O
W
A10
D
E
C
O
R
CELL ARRAY
BANK #0
D
E
C
O
R
CELL ARRAY
BANK #1
D
D
MODE
E
R
E
R
A0
REGISTER
SENSE AMPLIFIER
SENSE AMPLIFIER
ADDRESS
An
BA0
BA1
BUFFER
DMn
DATA CONTROL
CIRCUIT
DQ
BUFFER
DQ0 – DQ15 (x16)
DQ0 – DQ31 (x32)
REFRESH
COUNTER
COLUMN
COUNTER
R
O
W
COLUMN DECODER
R
O
W
COLUMN DECODER
UDM / LDM (x16)
DMn (x32)
UDQS / LDQS (x16)
DQSn (x32)
D
E
C
O
CELL ARRAY
BANK #2
D
E
C
O
CELL ARRAY
BANK #3
R
D
E
R
SENSE AMPLIFIER
-8-
R
D
E
R
SENSE AMPLIFIER
Publication Release Date: Sep, 21, 2011
Revision A01-007
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| W949D2CBJX5I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX5I TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 200MHZ, INDUST |
| W949D2CBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip Mobile LPDDR SDRAM 512M-Bit 16Mx32 1.8V 90-Pin VFBGA |
| W949D2CBJX6ETR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512M MDDR, X32, 166MHZ, 65NM |
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