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参数资料
| 型号： | W9712G6JB-3 |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA84 |
| 封装： | 12.50 X 8 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-84 |
| 文件页数： | 68/86页 |
| 文件大小： | 1027K |
| 代理商： | W9712G6JB-3 |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页当前第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页
W9712G6JB
Publication Release Date: Mar. 15, 2010
- 70 -
Revision A01
10.6 ODT Timing mode switch at exiting power down mode
CLK
T0
T7
T8
T9
T10
CKE
RTT
RTT
RTT
RTT
ODT
Active & Standby mode
timings to be applied
Power Down mode
timings to be applied
tIS
CLK
Internal
Term Res.
tAXPD
Exiting from Slow Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode
T1
T5
T6
tIS
tAOFD
tAOFPD(max)
tAONPD(max)
tAOND
VIL(ac)
VIH(ac)
Internal
Term Res.
Internal
Term Res.
Internal
Term Res.
ODT
Active & Standby mode
timings to be applied
Power Down mode
timings to be applied
VIH(ac)
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