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参数资料
| 型号： | W972GG8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封装： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件页数： | 10/86页 |
| 文件大小： | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25I |
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W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 18 -
Revision A02
7.2.4
On-Die Termination (ODT)
On-Die Termination (ODT) is a new feature on DDR2 components that allows a DRAM to turn on/off
termination resistance for each DQ, DQS/ DQS , RDQS/ RDQS , and DM signal via the ODT control pin.
The ODT feature is designed to improve signal integrity of the memory channel by allowing the DRAM
controller to independently turn on/off termination resistance for any or all DRAM devices.
The ODT function can be used for all active and standby modes. ODT is turned off and not supported
in Self Refresh mode. (Example timing waveforms refer to 10.3, 10.4 ODT Timing for
Active/Standby/Power Down Mode and 10.5, 10.6 ODT timing mode switch at entering/exiting power
down mode diagram in Chapter 10)
DRAM
Input
Buffer
Input
Pin
VDDQ
sw1
Rval3
VDDQ
sw2
sw3
Rval1
Rval2
Rval1
Rval2
Rval3
sw1
sw2
sw3
VSSQ
Switch (sw1, sw2, sw3) is enabled by ODT pin.
Selection among sw1, sw2, and sw3 is determined by “Rtt (nominal)” in EMR (1).
Termination included on all DQs, DM, DQS, DQS , RDQS, and RDQS pins.
Figure 9
– Functional Representation of ODT
7.2.5
ODT related timings
7.2.5.1
MRS command to ODT update delay
During normal operation the value of the effective termination resistance can be changed with an
EMRS command. The update of the Rtt setting is done between tMOD,min and tMOD,max, and CKE
must remain HIGH for the entire duration of tMOD window for proper operation. The timings are shown
in the following timing diagram.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-18 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| W981216BH-75 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
| W9751G6JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512MB DDRII |
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