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参数资料
| 型号： | W972GG8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封装： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件页数： | 72/86页 |
| 文件大小： | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25I |
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W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 74 -
Revision A02
10.13 Burst read interrupt timing: RL =3 (CL=3, AL=0, BL=8)
NOP
READ A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T8
NOP
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
Dout
B0
Dout
B1
Dout
B2
Dout
B3
Dout
B4
Dout
B5
Dout
B6
Dout
B7
READ B
NOP
DQ's
10.14 Burst write interrupt timing: RL=3 (CL=3, AL=0, WL=2, BL=8)
Write A
NOP
Write B
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
T8
NOP
Din
A0
Din
A1
Din
A2
Din
A3
Din
B0
Din
B1
Din
B2
Din
B3
Din
B4
Din
B5
Din
B6
Din
B7
DQ's
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-18 | 256M X 8 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA60 |
| W9751G6JB-18 | 32M X 16 DDR DRAM, 0.35 ns, PBGA84 |
| W981204AH-8H | 32M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| W981216BH75L | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| W981216BH-75 | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W972GG8JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:DRAM Chip DDR2 SDRAM 2G-Bit 256Mx8 1.8V 60-Pin WBGA 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS |
| W9751G6IB-25 | 功能描述:IC DDR2-800 SDRAM 512MB 84-WBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:2.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:8-MFP 包装:带卷 (TR) |
| W9751G6JB | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:8M ? 4 BANKS ? 16 BIT DDR2 SDRAM |
| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
| W9751G6JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512MB DDRII |
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