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参数资料
| 型号： | W972GG8JB-25I |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 256M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| 封装： | 11 X 11.50 MM, ROHS COMPLIANT, WBGA-60 |
| 文件页数： | 77/86页 |
| 文件大小： | 1466K |
| 代理商： | W972GG8JB-25I |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页第68页第69页第70页第71页第72页第73页第74页第75页第76页当前第77页第78页第79页第80页第81页第82页第83页第84页第85页第86页
W972GG8JB
Publication Release Date: Feb. 18, 2011
- 79 -
Revision A02
10.22 Burst write operation followed by precharge: WL = (RL-1) = 4
NOP
Posted CAS
WRITE A
Precharge A
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T9
WL = 4
Completion of the Burst Write
≥ tWR
DIN A0 DIN A1 DIN A2 DIN A3
10.23 Burst read operation with Auto-precharge: RL=4 (AL=1, CL=3, BL=8, tRTP
≤
2clks)
NOP
Bank A
Activate
NOP
Post CAS
READA
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
CLK/CLK
CMD
DQS,
DQS
DQ's
T8
≥ tRTP
AL + BL/2 clks
≥ tRP
AL = 1
CL = 3
RL = 4
Dout
A0
Dout
A1
Dout
A2
Dout
A3
Dout
A4
Dout
A5
Dout
A6
Dout
A7
first 4-bit prefetch
second 4-bit prefetch
tRTP
Precharge begins here
A10 = 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| W9751G6JB-25 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512GB DDRII |
| W9751G6JB-3 | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:512MB DDRII |
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