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参数资料
| 型号： | W989D6CBGX7E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 34/67页 |
| 文件大小： | 1469K |
| 代理商： | W989D6CBGX7E |
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W989D6CB / W989D2CB
512Mb Mobile LPSDR
Publication Release Date: Jun, 27, 2011
- 4 -
Revision A01-004
3. PIN CONFIGURATION
3.1 Ball Assignment: LPSDR X 16
54Ball FBGA
1
2
3
4 5 6
7
8
9
A
VSS
DQ15
VSSQ
VDDQ
DQ0
VDD
B
DQ14
DQ13
VDDQ
VSSQ
DQ2
DQ1
C
DQ12
DQ11
VSSQ
VDDQ
DQ4
DQ3
D
DQ10
DQ9
VDDQ
VSSQ
DQ6
DQ5
E
DQ8
NC
VSS
VDD
LDQM
DQ7
F
UDQM
CLK
CKE
CAS
RAS
WE
G
A12
A11
A9
BA0
BA1
CS
H
A8
A7
A6
A0
A1
A10
J
VSS
A5
A4
A3
A2
VDD
(Top View) Pin Configuration
3.2 Ball Assignment: LPSDR X 32
90Ball FBGA
1
2
3
4
5
6
7
8
9
A
DQ26
DQ24
VSS
VDD
DQ23
DQ21
B
DQ28
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ19
C
VSSQ
DQ27
DQ25
DQ22
DQ20
VDDQ
D
VSSQ
DQ29
DQ30
DQ17
DQ18
VDDQ
E
VDDQ
DQ31
NC
DQ16
VSSQ
F
VSS
DQM3
A3
A2
DQM2
VDD
G
A4
A5
A6
A10
A0
A1
H
A7
A8
A12
NC
BA1
A11
J
CLK
CKE
A9
BA0
CS
RAS
K
DQM1
NC
CAS
WE
DQM0
L
VDDQ
DQ8
VSS
VDD
DQ7
VSSQ
M
VSSQ
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
VDDQ
N
VSSQ
DQ12
DQ14
DQ1
DQ3
VDDQ
P
DQ11
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSSQ
DQ4
R
DQ13
DQ15
VSS
VDD
DQ0
DQ2
(Top View) Pin Configuration
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W99802G | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PBGA184 |
| WAC-011-A | TRANSCEIVER, PQFP100 |
| WAC-011-A | TRANSCEIVER, PQFP100 |
| WAC-021-C | ATM SEGMENTATION AND REASSEMBLY DEVICE, PQFP240 |
| WAC-021-C | ATM SEGMENTATION AND REASSEMBLY DEVICE, PQFP240 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W989D6CBGX7G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPSDR |
| W989D6KBGX7E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 512MBIT 54VFBGA |
| W98AD2KBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA |
| W98AD2KBJX6I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA |
| W98M9640 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Semiconductor Discrete Device, P-Channel Power MOS Field Effect Transistor |
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