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参数资料
| 型号： | W989D6CBGX7E |
| 厂商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分类： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA54 |
| 封装： | 8 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, VFBGA-54 |
| 文件页数： | 48/67页 |
| 文件大小： | 1469K |
| 代理商： | W989D6CBGX7E |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页当前第48页第49页第50页第51页第52页第53页第54页第55页第56页第57页第58页第59页第60页第61页第62页第63页第64页第65页第66页第67页
W989D6CB / W989D2CB
512Mb Mobile LPSDR
Publication Release Date: Jun, 27, 2011
- 52 -
Revision A01-004
10.12 Self Refresh Cycle
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
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17
18
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20
21
22
23
CLK
CS
RAS
CAS
WE
BA0,BA1
A10
Address
DQM
CKE
DQ
tRP
tCKS
tSB
tCKS
Arbitrary Cycle
tRFC
Device Deselect (DSL) Cycle
Self Refresh
Exit
Self Refresh
Entry
All Bank Precharge
tCKS
Note: The device exit the Self Refresh mode asynchronously at the rising edge of the CKE signal.
After CKE goes high, the Device Deselect or No-operation command must be registered at the immediately following
CLK rising edge, and CKE must remain high at least for tCKS delay immediately after exit the Self Refresh Mode.
A bust of 8K auto refeesh cycle within 7.8us before entering and exiting is necessary if the system does not use the
auto refresh function.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| W99802G | SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PBGA184 |
| WAC-011-A | TRANSCEIVER, PQFP100 |
| WAC-011-A | TRANSCEIVER, PQFP100 |
| WAC-021-C | ATM SEGMENTATION AND REASSEMBLY DEVICE, PQFP240 |
| WAC-021-C | ATM SEGMENTATION AND REASSEMBLY DEVICE, PQFP240 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| W989D6CBGX7G | 制造商:WINBOND 制造商全称:Winbond 功能描述:512Mb Mobile LPSDR |
| W989D6KBGX7E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC LPSDR SDRAM 512MBIT 54VFBGA |
| W98AD2KBJX6E | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA |
| W98AD2KBJX6I | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA |
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