参数资料
| 型号： | A3P600-FG484 |
| 厂商： | Microsemi SoC |
| 文件页数： | 79/220页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA |
| 标准包装： | 40 |
| 系列： | ProASIC3 |
| RAM 位总计： | 110592 |
| 输入/输出数： | 235 |
| 门数： | 600000 |
| 电源电压： | 1.425 V ~ 1.575 V |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 484-BGA |
| 供应商设备封装： | 484-FPBGA（23x23） |
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ProASIC3 Flash Family FPGAs
Revision 13
2-3
I/O Power-Up and Supply Voltage Thresholds for Power-On Reset
(Commercial and Industrial)
Sophisticated power-up management circuitry is designed into every ProASIC3 device. These circuits
ensure easy transition from the powered-off state to the powered-up state of the device. The many
different supplies can power up in any sequence with minimized current spikes or surges. In addition, the
I/O will be in a known state through the power-up sequence. The basic principle is shown in Figure 2-1
There are five regions to consider during power-up.
ProASIC3 I/Os are activated only if ALL of the following three conditions are met:
1. VCC and VCCI are above the minimum specified trip points (Figure 2-1 on page 2-4).
2. VCCI > VCC – 0.75 V (typical)
3. Chip is in the operating mode.
VCCI Trip Point:
Ramping up: 0.6 V < trip_point_up < 1.2 V
Ramping down: 0.5 V < trip_point_down < 1.1 V
VCC Trip Point:
Ramping up: 0.6 V < trip_point_up < 1.1 V
Ramping down: 0.5 V < trip_point_down < 1 V
VCC and VCCI ramp-up trip points are about 100 mV higher than ramp-down trip points. This specifically
built-in hysteresis prevents undesirable power-up oscillations and current surges. Note the following:
During programming, I/Os become tristated and weakly pulled up to VCCI.
JTAG supply, PLL power supplies, and charge pump VPUMP supply have no influence on I/O
behavior.
PLL Behavior at Brownout Condition
Microsemi recommends using monotonic power supplies or voltage regulators to ensure proper power-
up behavior. Power ramp-up should be monotonic at least until VCC and VCCPLLX exceed brownout
activation levels. The VCC activation level is specified as 1.1 V worst-case (see Figure 2-1 on page 2-4
for more details).
When PLL power supply voltage and/or VCC levels drop below the VCC brownout levels (0.75 V ± 0.25
V), the PLL output lock signal goes low and/or the output clock is lost. Refer to the "Power-Up/-Down
Behavior of Low Power Flash Devices" chapter of the ProASIC3 FPGA Fabric User’s Guide for
information on clock and lock recovery.
Table 2-4 Overshoot and Undershoot Limits 1
VCCI and VMV
Average VCCI–GND Overshoot or Undershoot
Duration as a Percentage of Clock Cycle2
Maximum Overshoot/
Undershoot2
2.7 V or less
10%
1.4 V
5%
1.49 V
3 V
10%
1.1 V
5%
1.19 V
3.3 V
10%
0.79 V
5%
0.88 V
3.6 V
10%
0.45 V
5%
0.54 V
Notes:
1. Based on reliability requirements at 85°C.
2. The duration is allowed at one out of six clock cycles. If the overshoot/undershoot occurs at one out of two cycles, the
maximum overshoot/undershoot has to be reduced by 0.15 V.
3. This table does not provide PCI overshoot/undershoot limits.
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参数描述 |
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| A3P600-FG484I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 600K 484-FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 标准包装:40 系列:SX-A LAB/CLB数:6036 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:- 输入/输出数:360 门数:108000 电源电压:2.25 V ~ 5.25 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:484-BGA 供应商设备封装:484-FPBGA（27X27） |
| A3P600-FGG144 | 功能描述:IC FPGA 235I/O 144FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 标准包装:60 系列:XP LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:10000 RAM 位总计:221184 输入/输出数:244 门数:- 电源电压:1.71 V ~ 3.465 V 安装类型:表面贴装 工作温度:0°C ~ 85°C 封装/外壳:388-BBGA 供应商设备封装:388-FPBGA（23x23） 其它名称:220-1241 |
| A3P600-FGG144ES | 制造商:ACTEL 制造商全称:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3 Flash Family FPGAs |
| A3P600-FGG144I | 功能描述:IC FPGA 1KB FLASH 600K 144-FBGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） 系列:ProASIC3 标准包装:90 系列:ProASIC3 LAB/CLB数:- 逻辑元件/单元数:- RAM 位总计:36864 输入/输出数:157 门数:250000 电源电压:1.425 V ~ 1.575 V 安装类型:表面贴装 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-FPBGA（17x17） |
| A3P600-FGG144PP | 制造商:ACTEL 制造商全称:Actel Corporation 功能描述:ProASIC3 Flash Family FPGAs |
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