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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 10/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
18
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 5.5V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.921
-130.1
31.8
38.725 113.1
-37.7 0.013
29.6
0.615
-156.5
34.7
0.145
0.2
0.914
-155.0
26.4
20.822 100.3
-37.1 0.014
22.8
0.659
-168.9
31.7
0.274
0.3
0.914
-164.6
23.0
14.136 94.7
-36.5 0.015
22.7
0.669
-174.1
29.7
0.385
0.4
0.913
-170.1
20.5
10.611 91.3
-36.5 0.015
24.9
0.673
-177.3
28.5
0.510
0.5
0.909
-172.9
18.9
8.824
88.4
-35.4 0.017
26.8
0.662
-178.9
27.2
0.576
0.6
0.909
-175.7
17.4
7.375
86.0
-35.4 0.017
29.4
0.662
179.6
26.4
0.672
0.7
0.909
-178.1
16.0
6.329
83.9
-34.9 0.018
31.3
0.665
178.2
25.5
0.739
0.8
0.908
-179.7
14.9
5.549
81.8
-34.4 0.019
32.9
0.667
176.5
24.7
0.798
0.9
0.911
178.5
13.8
4.922
80.0
-34.0 0.020
35.3
0.662
176.0
23.9
0.843
1
0.909
176.8
12.9
4.418
78.0
-33.6 0.021
36.4
0.664
174.8
23.2
0.897
1.5
0.905
170.8
9.3
2.933
69.4
-31.7 0.026
41.7
0.673
170.3
18.8
1.079
2
0.907
166.3
7.3
2.322
63.4
-30.5 0.030
44.3
0.674
166.6
16.5
1.153
2.5
0.903
165.3
6.8
2.182
62.1
-30.2 0.031
44.5
0.673
164.1
15.7
1.208
3
0.906
161.2
5.2
1.815
56.5
-28.9 0.036
45.1
0.671
160.4
14.2
1.226
4
0.903
155.0
3.2
1.447
47.8
-27.3 0.043
44.7
0.684
155.3
12.1
1.273
5
0.904
145.1
1.0
1.123
35.9
-24.9 0.057
42.3
0.678
148.7
9.9
1.257
6
0.899
135.2
-0.8
0.909
20.3
-23.0 0.071
35.1
0.681
147.2
8.2
1.235
7
0.904
126.2
-3.2
0.693
6.5
-22.4 0.076
27.4
0.647
136.0
6.2
1.332
8
0.901
115.6
-4.3
0.608
-4.0
-20.9 0.090
22.2
0.640
119.4
4.6
1.386
9
0.896
106.2
-5.4
0.536
-15.9
-19.7 0.104
12.6
0.634
117.5
3.1
1.459
10
0.891
95.4
-6.1
0.497
-23.9
-18.9 0.113
10.2
0.692
106.3
2.6
1.408
11
0.877
85.0
-7.0
0.446
-32.3
-17.7 0.131
1.0
0.739
92.9
1.5
1.403
12
0.871
74.4
-8.3
0.386
-42.5
-17.4 0.135
-5.8
0.730
89.7
-0.1
1.625
13
0.851
64.9
-8.2
0.387
-49.0
-15.9 0.160
-11.8
0.767
79.8
-0.3
1.480
14
0.850
56.2
-8.8
0.364
-60.0
-15.3 0.172
-21.0
0.803
70.5
-0.3
1.364
15
0.839
48.0
-9.5
0.335
-67.9
-14.5 0.188
-29.9
0.805
66.9
-1.3
1.403
16
0.834
39.7
-10.2 0.309
-72.5
-14.2 0.195
-36.8
0.768
52.7
-2.5
1.585
17
0.827
32.2
-10.2 0.309
-82.4
-13.3 0.216
-44.6
0.792
39.9
-2.5
1.472
18
0.814
24.4
-10.5 0.298
-89.4
-12.5 0.238
-51.8
0.790
30.2
-3.2
1.510
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
Figure 63. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
5.5V 200mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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