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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 5/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
13
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 4.5V, IDS = 360 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.911
-132.8
31.6
38.110 112.4
-39.2 0.011
30.3
0.649
-162.1
35.4
0.200
0.2
0.910
-156.5
26.2
20.415 100.0
-38.4 0.012
24.9
0.692
-171.8
32.3
0.340
0.3
0.911
-165.8
22.8
13.848 94.6
-37.7 0.013
26.2
0.701
-176.2
30.3
0.472
0.4
0.913
-171.1
20.3
10.397 91.3
-37.7 0.013
28.9
0.704
-178.9
29.0
0.600
0.5
0.907
-173.7
18.7
8.640
88.5
-36.5 0.015
31.8
0.693
179.7
27.6
0.679
0.6
0.910
-176.3
17.2
7.232
86.2
-35.9 0.016
34.5
0.694
178.2
26.6
0.747
0.7
0.910
-178.6
15.8
6.200
84.2
-35.9 0.016
36.8
0.696
176.9
25.9
0.838
0.8
0.906
179.7
14.7
5.431
82.2
-35.4 0.017
38.8
0.697
175.6
25.0
0.914
0.9
0.913
178.0
13.7
4.826
80.3
-34.9 0.018
40.6
0.695
174.8
24.3
0.930
1
0.907
176.4
12.7
4.328
78.4
-34.0 0.020
42.3
0.694
173.7
23.4
0.984
1.5
0.904
170.3
9.2
2.878
70.4
-32.0 0.025
47.0
0.698
169.4
18.2
1.154
2
0.906
165.9
7.1
2.275
64.5
-30.5 0.030
48.7
0.702
165.5
16.1
1.193
2.5
0.904
164.8
6.6
2.146
63.2
-30.2 0.031
49.0
0.701
162.8
15.5
1.231
3
0.907
160.9
5.0
1.783
57.9
-28.9 0.036
49.0
0.699
159.0
14.0
1.246
4
0.906
154.7
3.1
1.424
49.4
-27.3 0.043
47.7
0.708
153.6
12.0
1.275
5
0.903
144.8
0.9
1.114
37.7
-24.7 0.058
44.2
0.701
146.7
9.7
1.268
6
0.896
134.7
-0.8
0.907
22.7
-22.7 0.073
36.2
0.699
145.1
7.9
1.256
7
0.903
125.6
-3.2
0.691
8.9
-22.2 0.078
27.9
0.654
134.0
5.9
1.355
8
0.903
115.0
-4.3
0.612
-1.0
-20.7 0.092
22.4
0.647
117.3
4.6
1.375
9
0.891
105.6
-5.3
0.544
-13.3
-19.5 0.106
12.8
0.642
115.4
2.9
1.495
10
0.885
94.9
-6.0
0.504
-20.0
-18.8 0.115
10.2
0.697
104.4
2.4
1.462
11
0.873
84.3
-6.7
0.465
-28.4
-17.5 0.133
0.9
0.743
91.3
1.6
1.416
12
0.866
74.0
-7.9
0.403
-41.1
-17.3 0.137
-5.8
0.735
87.9
0.1
1.607
13
0.849
64.3
-7.8
0.406
-47.3
-15.9 0.161
-12.1
0.768
78.3
0.0
1.464
14
0.849
55.7
-8.4
0.379
-57.9
-15.2 0.174
-21.3
0.801
68.8
-0.2
1.361
15
0.841
46.6
-9.0
0.353
-69.0
-14.5 0.189
-30.3
0.800
65.5
-0.9
1.376
16
0.828
39.0
-9.4
0.337
-73.1
-14.2 0.196
-37.1
0.763
51.4
-2.0
1.547
17
0.817
31.0
-9.8
0.322
-83.0
-13.2 0.218
-45.1
0.787
38.7
-2.4
1.491
18
0.809
23.9
-10.3 0.304
-92.7
-12.4 0.240
-52.4
0.783
29.3
-3.2
1.513
Figure 58. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
4.5V 360mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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