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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 3/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
11
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 4.5V, IDS = 280 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.915
-132.3
31.6
37.990 112.2
-38.4 0.012
29.3
0.647
-160.6
35.0
0.173
0.2
0.911
-156.2
26.2
20.324 99.9
-37.7 0.013
24.0
0.689
-171.1
31.9
0.314
0.3
0.910
-165.4
22.8
13.783 94.5
-37.1 0.014
24.5
0.699
-175.7
29.9
0.436
0.4
0.910
-170.9
20.3
10.342 91.1
-37.1 0.014
27.3
0.702
-178.5
28.7
0.569
0.5
0.908
-173.4
18.7
8.604
88.4
-36.5 0.015
29.6
0.691
-179.9
27.6
0.648
0.6
0.907
-176.1
17.1
7.194
86.1
-35.9 0.016
32.4
0.691
178.5
26.5
0.736
0.7
0.908
-178.5
15.8
6.167
84.1
-35.4 0.017
34.4
0.694
177.2
25.6
0.800
0.8
0.905
179.8
14.7
5.407
82.1
-34.9 0.018
36.3
0.695
175.2
24.8
0.871
0.9
0.909
178.2
13.6
4.799
80.3
-34.4 0.019
38.3
0.692
175.1
24.0
0.906
1
0.909
176.6
12.7
4.308
78.3
-34.0 0.020
39.9
0.692
173.9
23.3
0.953
1.5
0.902
170.5
9.1
2.859
70.3
-31.7 0.026
45.0
0.698
169.4
18.2
1.128
2
0.902
166.0
7.1
2.264
64.4
-30.5 0.030
46.9
0.700
165.6
16.0
1.209
2.5
0.901
165.0
6.6
2.134
63.1
-30.2 0.031
47.2
0.699
163.0
15.4
1.241
3
0.901
161.1
5.0
1.772
57.7
-28.9 0.036
47.4
0.697
159.1
13.8
1.278
4
0.898
155.0
3.0
1.412
49.3
-27.3 0.043
46.5
0.707
153.7
11.7
1.326
5
0.902
145.0
0.9
1.110
37.6
-24.7 0.058
43.5
0.699
146.8
9.7
1.272
6
0.893
134.9
-0.9
0.902
22.6
-22.9 0.072
35.6
0.697
145.3
7.8
1.286
7
0.899
125.8
-3.3
0.687
9.0
-22.2 0.078
27.3
0.652
134.1
5.7
1.394
8
0.895
115.6
-4.4
0.604
-1.1
-20.8 0.091
22.0
0.646
117.4
4.2
1.463
9
0.898
105.5
-5.3
0.542
-13.0
-19.6 0.105
12.3
0.641
115.5
3.2
1.447
10
0.886
95.5
-5.9
0.505
-20.2
-18.9 0.114
9.7
0.695
104.5
2.5
1.455
11
0.868
84.7
-6.6
0.469
-29.7
-17.6 0.132
0.5
0.742
91.3
1.6
1.431
12
0.862
74.0
-8.0
0.398
-40.8
-17.4 0.135
-6.3
0.735
88.1
-0.1
1.661
13
0.847
64.5
-7.9
0.403
-47.5
-16.0 0.159
-12.3
0.766
78.4
-0.1
1.491
14
0.844
55.6
-8.5
0.377
-58.4
-15.3 0.171
-21.3
0.800
68.9
-0.3
1.397
15
0.837
47.4
-9.0
0.354
-67.2
-14.6 0.187
-30.1
0.797
65.6
-1.1
1.414
16
0.824
39.9
-9.7
0.327
-72.0
-14.2 0.194
-36.8
0.763
51.5
-2.3
1.608
17
0.821
31.6
-9.8
0.323
-82.7
-13.4 0.215
-44.6
0.786
38.9
-2.4
1.488
18
0.805
24.6
-10.5 0.298
-90.1
-12.5 0.237
-51.8
0.781
29.5
-3.5
1.575
Figure 56. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
4.5V 280mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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