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参数资料
| 型号： | ATF-501P8-TR1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封装： | 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8 |
| 文件页数： | 21/22页 |
| 文件大小： | 786K |
| 代理商： | ATF-501P8-TR1 |
8
ATF-501P8 Typical Performance Curves (at 25°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal OIP3 at 4.5V 400 mA
Figure 32. OIP3 vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 33. OIP3 vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 34. P1dB vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 35. P1dB vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 36. Gain vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 38. PAE vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 39. PAE vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 37. Gain vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 40. OIP3 vs. Temperature and
Frequency at optimum OIP3.
FREQUENCY (GHz)
OIP3
(dBm)
0.5
4
1
1.5
2
2.5
3
3.5
50
40
30
20
10
0
-40C
25C
85C
Note:
Bias current (Ids) for the above charts are quiescent conditions.
Actual level may increase or decrease depending on amount of RF drive.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ATF-511P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-511P8-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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