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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 9/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
17
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 5.5V, IDS = 280 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.914
-131.5
31.8
39.087 112.6
-38.4 0.012
29.6
0.618
-158.7
35.1
0.172
0.2
0.912
-155.7
26.4
20.961 100.1
-37.7 0.013
23.9
0.661
-170.0
32.1
0.307
0.3
0.914
-165.2
23.1
14.228 94.5
-37.1 0.014
24.1
0.670
-174.9
30.1
0.420
0.4
0.913
-170.5
20.6
10.678 91.1
-37.1 0.014
26.7
0.674
-177.9
28.8
0.550
0.5
0.909
-173.3
19.0
8.871
88.3
-36.5 0.015
29.0
0.662
-179.3
27.7
0.638
0.6
0.910
-176.0
17.4
7.417
86.0
-35.9 0.016
31.7
0.663
179.2
26.7
0.715
0.7
0.911
-178.2
16.1
6.365
83.9
-35.4 0.017
34.3
0.666
177.8
25.7
0.782
0.8
0.908
-179.8
14.9
5.577
81.8
-34.9 0.018
36.0
0.667
176.3
24.9
0.850
0.9
0.913
178.4
13.9
4.956
79.9
-34.4 0.019
38.0
0.664
175.7
24.2
0.878
1
0.907
176.7
13.0
4.446
78.0
-34.0 0.020
39.4
0.664
174.5
23.5
0.958
1.5
0.903
170.5
9.4
2.951
69.6
-32.0 0.025
44.5
0.672
170.1
18.4
1.141
2
0.905
166.2
7.4
2.331
63.5
-30.5 0.030
46.4
0.674
166.5
16.3
1.182
2.5
0.903
165.2
6.8
2.197
62.1
-30.2 0.031
47.0
0.674
164.0
15.7
1.222
3
0.903
161.0
5.2
1.822
56.7
-29.1 0.035
47.3
0.672
160.3
14.0
1.284
4
0.900
154.7
3.3
1.455
47.9
-27.3 0.043
46.7
0.685
155.2
12.0
1.307
5
0.902
145.0
1.1
1.129
35.9
-24.9 0.057
43.8
0.679
148.6
9.8
1.278
6
0.895
134.9
-0.8
0.916
20.6
-23.0 0.071
36.2
0.681
147.0
8.0
1.271
7
0.903
125.8
-3.2
0.695
6.8
-22.3 0.077
28.3
0.648
135.8
6.1
1.340
8
0.898
115.4
-4.2
0.616
-3.5
-20.8 0.091
22.9
0.641
119.2
4.5
1.401
9
0.898
105.8
-5.3
0.546
-16.3
-19.6 0.105
13.3
0.636
117.2
3.3
1.416
10
0.884
95.4
-6.0
0.499
-23.2
-18.9 0.114
10.9
0.694
106.2
2.4
1.459
11
0.871
84.6
-6.8
0.458
-31.5
-17.6 0.132
1.6
0.741
92.7
1.6
1.420
12
0.864
74.2
-8.3
0.386
-43.6
-17.3 0.137
-5.2
0.731
89.5
-0.2
1.655
13
0.849
64.8
-8.3
0.385
-49.9
-15.8 0.162
-11.5
0.768
79.6
-0.3
1.479
14
0.854
56.1
-8.7
0.366
-60.4
-15.2 0.174
-20.9
0.804
70.2
-0.2
1.332
15
0.841
47.7
-9.6
0.330
-68.9
-14.4 0.191
-29.9
0.807
66.7
-1.3
1.385
16
0.834
40.0
-10.0 0.317
-73.5
-14.1 0.198
-37.0
0.768
52.4
-2.3
1.536
17
0.824
31.9
-10.2 0.310
-83.2
-13.2 0.219
-45.0
0.792
39.7
-2.5
1.466
18
0.813
24.7
-10.7 0.291
-88.9
-12.4 0.240
-52.2
0.788
30.0
-3.5
1.533
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
Figure 62. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
5.5V 280mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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