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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 7/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
15
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 3.5V, IDS = 200 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.924
-132.7
30.5
33.400 112.1
-37.1 0.014
28.4
0.703
-162.3
33.8
0.150
0.2
0.919
-156.5
25.0
17.862 99.9
-36.5 0.015
22.1
0.749
-172.1
30.8
0.269
0.3
0.918
-165.7
21.7
12.118 94.6
-36.5 0.015
22.7
0.757
-176.5
29.1
0.390
0.4
0.918
-171.0
19.2
9.080
91.4
-35.9 0.016
24.6
0.760
-179.2
27.5
0.496
0.5
0.918
-173.6
17.6
7.556
88.7
-35.4 0.017
26.4
0.751
179.4
26.5
0.559
0.6
0.915
-176.2
16.0
6.328
86.5
-34.9 0.018
29.3
0.752
177.7
25.5
0.651
0.7
0.915
-178.5
14.7
5.422
84.5
-34.4 0.019
31.3
0.753
176.3
24.6
0.717
0.8
0.914
179.8
13.5
4.739
82.7
-34.0 0.020
33.2
0.752
175.3
23.7
0.777
0.9
0.919
178.0
12.5
4.232
80.8
-33.6 0.021
35.1
0.755
174.1
23.0
0.806
1
0.916
176.7
11.6
3.788
79.0
-33.2 0.022
36.7
0.750
172.8
22.4
0.870
1.5
0.912
170.5
8.0
2.515
71.5
-31.4 0.027
42.0
0.750
168.3
18.2
1.057
1.9
0.911
166.0
6.0
1.991
65.8
-29.9 0.032
44.3
0.755
165.0
15.8
1.126
2
0.910
164.9
5.5
1.882
64.7
-29.6 0.033
44.7
0.753
164.2
15.2
1.157
2.4
0.911
160.9
3.9
1.562
59.7
-28.6 0.037
45.0
0.750
161.3
13.5
1.215
3
0.909
154.7
2.0
1.255
51.5
-26.9 0.045
43.9
0.754
157.0
11.5
1.244
4
0.911
144.8
-0.1
0.988
40.4
-24.4 0.060
41.0
0.746
151.3
9.3
1.225
5
0.902
134.8
-1.8
0.813
25.9
-22.6 0.074
33.3
0.735
143.7
7.4
1.255
6
0.904
125.5
-4.1
0.624
12.7
-22.0 0.079
24.6
0.669
141.8
5.0
1.438
7
0.904
115.6
-5.1
0.555
3.9
-20.6 0.093
19.3
0.664
130.6
3.8
1.455
8
0.901
105.6
-5.9
0.509
-8.3
-19.4 0.107
9.5
0.662
113.9
2.7
1.466
9
0.897
95.4
-6.4
0.477
-14.5
-18.8 0.115
6.6
0.705
112.3
2.3
1.437
10
0.880
84.1
-6.9
0.450
-23.9
-17.7 0.130
-3.0
0.751
101.2
1.5
1.429
11
0.872
73.7
-8.1
0.393
-34.0
-17.6 0.132
-9.7
0.742
88.5
0.0
1.646
12
0.849
64.2
-7.8
0.408
-42.5
-16.4 0.152
-14.9
0.767
85.3
0.0
1.539
13
0.841
55.5
-8.2
0.391
-53.2
-15.8 0.162
-22.8
0.798
76.2
-0.2
1.465
14
0.820
47.1
-8.5
0.377
-63.5
-15.1 0.176
-29.9
0.793
66.8
-1.0
1.527
15
0.809
39.3
-9.0
0.354
-69.5
-14.7 0.185
-35.9
0.754
63.6
-2.1
1.708
16
0.794
32.7
-9.1
0.350
-84.1
-13.6 0.210
-43.1
0.785
49.8
-2.1
1.543
17
0.770
25.8
-9.6
0.332
-89.0
-12.6 0.234
-50.5
0.776
36.9
-3.1
1.634
18
0.766
21.5
-9.2
0.346
-99.8
-11.5 0.266
-60.7
0.797
28.0
-2.6
1.394
Figure 60. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
3.5V 200mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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