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参数资料
| 型号： | ATF-501P8-TR1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封装： | 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8 |
| 文件页数： | 19/22页 |
| 文件大小： | 786K |
| 代理商： | ATF-501P8-TR1 |
6
ATF-501P8 Typical Performance Curves (at 25°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5V 280 mA
Figure 16. OIP3 vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 17. OIP3 vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
OIP3
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
55
50
45
40
35
30
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 18. P1dB vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 19. P1dB vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 20. Gain vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
GAIN
(dB)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 21. Gain vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
GAIN
(dB)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 22. PAE vs. Idq and Vds at 2 GHz.
Idq (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 23. PAE vs. Idq and Vds at 0.9 GHz.
Idq (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
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PDF描述 |
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