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参数资料
| 型号： | ATF-501P8-TR1 |
| 元件分类： | 小信号晶体管 |
| 英文描述： | L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229 |
| 封装： | 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8 |
| 文件页数： | 2/22页 |
| 文件大小： | 786K |
| 代理商： | ATF-501P8-TR1 |
10
Figure 50. P1dB vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 51. P1dB vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
P1dB
(dBm)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
35
30
25
20
15
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 52. Gain vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
25
20
15
10
5
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 53. Gain vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
GAIN
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
30
25
20
15
10
5
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 54. PAE vs. Ids and Vds at 2 GHz.
Ids (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
60
50
40
30
20
10
0
4.5V
5.5V
3.5V
Figure 55. PAE vs. Ids and Vds at 900 MHz.
Ids (mA)
PA
E(%)
200
640
240 280 320 360 400 440 480 520 560 600
80
60
40
20
0
4.5V
5.5V
3.5V
ATF-501P8 Typical Performance Curves, continued (at 25°C unless specified otherwise)
Tuned for Optimal P1dB at 4.5V 400 mA
Note:
Bias current (Ids) for the above charts are quiescent conditions.
Actual level may increase or decrease depending on amount of RF drive.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ATF-511P8-BLKG | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR2G | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-BLK | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR1 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
| ATF-511P8-TR2 | C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ATF-501P8-TR2 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-511P8 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC |
| ATF-511P8-BLK | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
| ATF-511P8-BLK | 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor |
| ATF-511P8-TR1 | 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: |
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