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参数资料
型号： ATF-501P8-TR1
元件分类： 小信号晶体管
英文描述： L BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, HEMFET, MO-229
封装： 2 x 2 MM, 0.75 MM HEIGHT,LEAD FREE, PLASTIC,LPCC-8
文件页数： 11/22页
文件大小： 786K
代理商： ATF-501P8-TR1
19
ATF-501P8 Typical Scattering Parameters, VDS = 5.5V, IDS = 360 mA
Freq.
S11
S21
S12
S22
MSG/MAG
K
GHz
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
dB
Mag.
Ang.
Mag.
Ang.
dB
factor
0.1
0.904
-132.0
31.8
38.785 113.0
-39.2 0.011
29.8
0.619
-159.9
35.5
0.198
0.2
0.910
-156.2
26.4
20.860 100.3
-38.4 0.012
24.8
0.662
-170.6
32.4
0.338
0.3
0.912
-165.4
23.0
14.161 94.7
-37.7 0.013
25.5
0.672
-175.3
30.4
0.459
0.4
0.912
-170.7
20.5
10.635 91.2
-37.1 0.014
27.8
0.675
-178.2
28.8
0.571
0.5
0.907
-173.5
18.9
8.834
88.4
-36.5 0.015
30.5
0.663
-179.5
27.7
0.666
0.6
0.909
-176.1
17.4
7.399
86.1
-35.9 0.016
33.4
0.664
178.9
26.7
0.741
0.7
0.909
-178.3
16.0
6.337
83.9
-35.4 0.017
35.7
0.666
177.6
25.7
0.808
0.8
0.907
179.9
14.9
5.557
81.9
-35.4 0.017
37.6
0.668
176.2
25.1
0.901
0.9
0.909
178.4
13.9
4.942
80.0
-34.9 0.018
39.7
0.665
175.5
24.4
0.943
1
0.906
176.7
12.9
4.429
78.0
-34.4 0.019
41.2
0.665
174.3
23.7
1.008
1.5
0.904
170.5
9.4
2.941
69.7
-32.0 0.025
46.2
0.672
170.1
18.4
1.150
2
0.904
166.1
7.3
2.325
63.6
-30.8 0.029
47.9
0.676
166.5
16.2
1.225
2.5
0.900
165.1
6.8
2.191
62.2
-30.2 0.031
48.4
0.675
163.9
15.5
1.254
3
0.905
161.0
5.2
1.817
56.6
-29.1 0.035
48.6
0.674
160.2
14.0
1.278
4
0.900
155.0
3.3
1.456
48.2
-27.5 0.042
47.4
0.686
155.1
12.0
1.329
5
0.904
144.9
1.1
1.130
35.7
-24.9 0.057
44.4
0.680
148.5
9.9
1.267
6
0.897
134.8
-0.8
0.913
20.7
-23.0 0.071
36.8
0.683
146.9
8.0
1.264
7
0.902
125.7
-3.2
0.695
7.3
-22.3 0.077
28.9
0.649
135.8
6.0
1.359
8
0.899
115.5
-4.3
0.609
-3.7
-20.8 0.091
23.4
0.643
119.1
4.5
1.402
9
0.893
105.9
-5.3
0.544
-16.0
-19.6 0.105
13.8
0.636
117.1
3.1
1.470
10
0.886
95.4
-6.0
0.499
-23.1
-18.9 0.114
11.7
0.696
106.1
2.4
1.447
11
0.867
85.0
-6.8
0.455
-31.7
-17.5 0.133
2.3
0.743
92.6
1.4
1.439
12
0.871
75.0
-8.2
0.389
-43.4
-17.2 0.138
-4.6
0.732
89.3
0.0
1.589
13
0.854
65.6
-8.2
0.387
-49.9
-15.7 0.164
-11.0
0.769
79.4
-0.2
1.436
14
0.855
56.8
-8.9
0.360
-61.2
-15.1 0.176
-20.4
0.805
70.0
-0.3
1.323
15
0.845
48.1
-9.6
0.330
-68.7
-14.3 0.192
-29.6
0.806
66.4
-1.3
1.371
16
0.842
40.7
-10.0 0.315
-72.5
-14.0 0.199
-36.7
0.769
52.1
-2.2
1.502
17
0.833
32.6
-10.2 0.309
-82.1
-13.2 0.220
-44.6
0.792
39.4
-2.4
1.436
18
0.826
25.5
-10.5 0.299
-87.9
-12.3 0.242
-51.8
0.789
29.7
-3.1
1.457
Notes:
1. S parameter is measured on a microstrip
line made on 0.025 inch thick alumina
carrier. The input reference plane is at the
end of the gate lead. The output reference
plane is at the end of the drain lead.
Figure 64. MSG/MAG & |S21|2 vs. Frequency at
5.5V 360mA.
FREQUENCY (GHz)
MSG/MAG
&
|S21|
2 (dB)
0
18
2
4
6
8
10
12
14 16
40
30
20
10
0
-10
-20
S21
MSG
MAG
相关PDF资料
PDF描述
ATF-511P8-BLKG C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2G C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-BLK C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR1 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
ATF-511P8-TR2 C BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
相关代理商/技术参数
参数描述
ATF-501P8-TR2 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Single Voltage E-pHEMT Low Noise +41.7 dBm OIP3 in LPCC
ATF-511P8-BLK 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
ATF-511P8-BLK 制造商:Avago Technologies 功能描述:RF Bipolar Transistor
ATF-511P8-TR1 功能描述:射频GaAs晶体管 Transistor GaAs High Linearity RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
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